[发明专利]单晶硅片的制绒方法

权利要求书

1.一种单晶硅片的制绒方法，其特征在于：

将单晶硅片两两相并成一组插入花篮内，再将盛载有单晶硅片的花篮放入制绒液，进行刻蚀反应；

将刻蚀完成的单晶硅片与花篮取出，进行高温清洗，高温清洗液采用温度设置为40～80℃的去离子水，有效去除两两一组的单晶硅片间的残留药液及反应产物；

再将完成高温清洗的单晶硅片放入低温清洗液进行低温清洗，所述低温清洗液同样采用去离子水，使得两两一组的单晶硅片相互贴合，同组单晶硅片之间留存一定水分；

将低温清洗后的单晶硅片进行分片。

2.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于：刻蚀完成的单晶硅片在高温清洗液中的清洗时间设置为50～200s。

3.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于：所述制绒方法还包括将刻蚀完成的单晶硅片放入HF溶液进行酸洗后再进行高温清洗。

4.根据权利要求3所述的制绒方法，其特征在于：所述HF溶液的质量浓度设置为2％～8％；酸洗温度设置为35～50℃。

5.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于：将低温清洗后的单晶硅片进行分片，再将分片后的单晶硅片放入酸溶液进行酸溶液清洗，所述酸溶液为HF与HCl的混合溶液。

6.根据权利要求5所述的制绒方法，其特征在于：所述酸溶液清洗步骤包括将分片后的单晶硅片依次放入质量浓度为5％～8％的HF溶液、质量浓度为5％～8％的HCl溶液进行清洗。

7.根据权利要求5或6所述的制绒方法，其特征在于：所述制绒方法还包括在将分片后的单晶硅片进行酸溶液清洗前，先将分片后的单晶硅片放入碱溶液进行碱溶液清洗。

8.根据权利要求7所述的制绒方法，其特征在于：所述碱溶液包括质量浓度为1％～3％的KOH以及质量浓度为1％～5％的H₂O₂，所述碱溶液的温度设置为50～70℃；分片后的单晶硅片放入所述碱溶液中进行清洗的时间为100～200s。

9.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于：所述制绒液包括质量浓度为1％～3％的KOH或NaOH，刻蚀反应的时间设置为300～1200s，刻蚀反应的温度设置为60～85℃。