[发明专利]一种阻变存储器

摘要

本发明提供了一种阻变存储器，包括第一电极层；阻变层位于第一电极层的下方；第一中间层位于阻变层的下方，第一中间层的迁移率小于1cm2/Vs；第二中间层位于第一中间层的下方，第二中间层的材料包括二维材料；第二电极层第二中间层的下方；因第一中间层的迁移率小于1cm2/Vs，可在电场作用下减缓金属离子的扩散速度，使得一部分金属离子在第一中间层保留下来，导电细线在电场作用下不会完全断裂，降低阻变存储器在置位或复位过程中产生的波动性；在置位时，由于第二电极层中的金属离子容易在第一中间层和第二中间层中的导电细线中聚集，提高置位速度；在每次的置位过程中，会优先在同一个地方形成导电细线，降低置位电压。

主权项

1.一种阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器包括：第一电极层；阻变层，位于所述第一电极层的下方；第一中间层，位于所述阻变层的下方，所述第一中间层的迁移率小于1cm2/Vs；第二中间层，位于所述第一中间层的下方，所述第二中间层的材料包括二维材料；第二电极层，位于所述第二中间层的下方。