[发明专利]一种阻变存储器

说明书

本发明提供了一种阻变存储器，包括第一电极层；阻变层位于第一电极层的下方；第一中间层位于阻变层的下方，第一中间层的迁移率小于1cm²/Vs；第二中间层位于第一中间层的下方，第二中间层的材料包括二维材料；第二电极层第二中间层的下方；因第一中间层的迁移率小于1cm²/Vs，可在电场作用下减缓金属离子的扩散速度，使得一部分金属离子在第一中间层保留下来，导电细线在电场作用下不会完全断裂，降低阻变存储器在置位或复位过程中产生的波动性；在置位时，由于第二电极层中的金属离子容易在第一中间层和第二中间层中的导电细线中聚集，提高置位速度；在每次的置位过程中，会优先在同一个地方形成导电细线，降低置位电压。

技术领域

本发明涉及微电子器件技术领域，尤其涉及一种阻变存储器。

背景技术

随着电子技术和器件的迅速发展，人们迫切需要更高存储速度和存储密度的存储器，阻变存储器是目前的选择之一。

现有技术中，由于非易失性阻变存储器导电细线随机形成等诸多原因，导致阻变存储器的记忆特性被极大地削弱，进而降低了阻态的保持特性和稳定性。此外，现有技术中阻变存储器置位电压高也不利于实现器件的低功耗特性，置位速度较低不利于器件存储速度的提升，这些都严重制约着阻变存储器的阻变性能。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明实施例提供了一种阻变存储器，用于解决现有技术中阻变存储器的阻变性能得不到保证的技术问题。

本发明实施例提供一种阻变存储器，所述阻变存储器包括：

第一电极层；

阻变层，位于所述第一电极层的下方；

第一中间层，位于所述阻变层的下方，所述第一中间层的迁移率小于1cm²/Vs；

第二中间层，位于所述第一中间层的下方，所述第二中间层的材料包括二维材料；

第二电极层，位于所述第二中间层的下方。

上述方案中，所述第一中间层的厚度为2～10nm。

上述方案中，所述第一中间层的材料包括：氮化硼BN、有机半导体及Si₃N₄中的任意一种。

上述方案中，所述二维材料具体包括：石墨烯或二硫化钼MoS₂。

上述方案中，所述第一电极层的材料具体包括：金Au或铂Pt。

上述方案中，所述阻变层的材料包括：氧化铪HfO₂、氧化钨WO₃及氧化钽Ta₂O₅中的任意一种。

上述方案中，所述第二电极层的材料包括铜Cu或银Ag。

上述方案中，所述第一电极层的厚度为50～100nm。

上述方案中，所述阻变层的厚度包括4～20nm。

上述方案中，所述二维材料为单层材料。