[发明专利]一种阻变存储器有效
| 申请号： | 201811239365.4 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109585648B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;马尚;李泠;耿玓;刘琦;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器包括：
第一电极层；
阻变层，位于所述第一电极层的下方；
第一中间层，位于所述阻变层的下方，所述第一中间层的迁移率小于1cm2/Vs；所述第一中间层的材料包括：氮化硼BN、有机半导体及Si3N4中的任意一种，所述第一中间层的厚度为5～10nm；
第二中间层，位于所述第一中间层的下方，所述第二中间层的材料包括二维材料；
第二电极层，位于所述第二中间层的下方。
2.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第一中间层的厚度为2～10nm。
3.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述二维材料具体包括：石墨烯或二硫化钼MoS2。
4.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第一电极层的材料具体包括：金Au或铂Pt。
5.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层的材料包括：氧化铪HfO2、氧化钨WO3及氧化钽Ta2O5中的任意一种。
6.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第二电极层的材料包括铜Cu或银Ag。
7.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述第一电极层的厚度为50～100nm。
8.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层的厚度包括4～20nm。
9.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述二维材料为单层材料。
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