[发明专利]半导体装置以及其制作方法有效
| 申请号： | 201811235109.8 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111092047B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 许得彰;林哲贤;黄正邺;黄俊仁;苏昱志;王尧展 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置的制作方法包括下列步骤。提供半导体基底。多个栅极结构形成于半导体基底上。源极/漏极区形成于半导体基底中且形成于多个栅极结构之间。介电层形成于源极/漏极区上且位于多个栅极结构之间。形成开孔贯穿源极/漏极区上的介电层。在开孔中形成第一导电结构的下部。在第一导电结构的下部上以及开孔的内壁上形成介电间隙壁。在开孔中以及第一导电结构的下部上形成第一导电结构的上部。介电间隙壁围绕第一导电结构的上部。以两阶段方式形成第一导电结构可形成围绕上部的介电间隙壁，由此改善半导体装置的电性表现。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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