[发明专利]半导体装置以及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制作方法，包括：

提供半导体基底，其中多个栅极结构形成于该半导体基底上，源极/漏极区形成于该半导体基底中且形成于该多个栅极结构之间，且介电层形成于该源极/漏极区上且位于该多个栅极结构之间；

形成开孔贯穿该源极/漏极区上的该介电层；

在该开孔中形成第一导电结构的下部；

在该第一导电结构的该下部上以及该开孔的内壁上形成介电间隙壁；

在该开孔中以及该第一导电结构的该下部上形成该第一导电结构的上部，其中该介电间隙壁围绕该第一导电结构的该上部；以及

在形成该第一导电结构的该下部之前，在该开孔的底部以及该开孔的该内壁上共形地形成导电阻障层，其中，该导电阻障层的最上表面与该介电间隙壁的最上表面共平面。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中形成该介电间隙壁的步骤包括：

在该第一导电结构的该下部上以及该开孔的该内壁上共形地形成间隙壁材料层；以及

对该间隙壁材料层进行蚀刻制作工艺，用以移除位于该第一导电结构的该下部上的该间隙壁材料层的一部分而形成该介电间隙壁。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第一导电结构的该上部的材料组成与该第一导电结构的该下部的材料组成相同。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该导电阻障层于该开孔中围绕该介电间隙壁以及该第一导电结构。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该介电间隙壁于自该开孔的中心指向该多个栅极结构其中的一者的方向上位于该第一导电结构的该上部与该导电阻障层之间。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，还包括：

在该源极/漏极区与该导电阻障层之间形成硅化物层。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，还包括：

在该多个栅极结构其中的一者上形成第二导电结构，该第二导电结构与该栅极结构电连接，其中该第二导电结构与该第一导电结构的该下部同时形成，且该第一导电结构的该下部的上表面于该半导体基底的厚度方向上低于该第二导电结构的上表面。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制作方法，其中该介电间隙壁在形成该第二导电结构之后以及形成该第一导电结构的该上部之前形成。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第一导电结构与该源极/漏极区电连接。

10.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体基底；

多个栅极结构，设置于该半导体基底上；

源极/漏极区，设置于该半导体基底中且设置于该多个栅极结构之间；

介电层，设置于该源极/漏极区上且位于该多个栅极结构之间；

开孔，贯穿该源极/漏极区上的该介电层；

第一导电结构，设置于该开孔中，其中该第一导电结构包括：

下部；以及

上部，设置于该下部上；

导电阻障层，设置于该开孔中且围绕该第一导电结构；以及

介电间隙壁，设置于该第一导电结构的该下部上且围绕该第一导电结构的该上部，其中该介电间隙壁设置于该导电阻障层以及该第一导电结构的该上部之间，且该导电阻障层的最上表面与该介电间隙壁的最上表面共平面。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中该导电阻障层于该开孔中围绕该介电间隙壁。

12.如权利要求10所述的半导体装置，其中该介电间隙壁于自该开孔的中心指向该多个栅极结构其中的一者的方向上位于该第一导电结构的该上部与该导电阻障层之间。

13.如权利要求10所述的半导体装置，其中该第一导电结构与该源极/漏极区电连接。