[发明专利]基于自适应原模图LDPC码的NAND闪存控制系统在审

专利信息
申请号: 201811219435.X 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN109491829A 公开(公告)日: 2019-03-19
发明(设计)人: 陈平平;陈嘉栎;谢肇鹏;欧建辉 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市闽*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种基于自适应原模图LDPC码的NAND闪存控制系统。包括NAND闪存的主存储系统控制器、擦写次数记录模块、编码器、译码器;所述擦写次数记录模块的输入端连接NAND闪存的主存储系统控制器,擦写次数记录模块的输出端分别连接编码器和译码器;所述NAND闪存的主存储系统控制器的数据输入接口连接所述编码器的输出端,NAND闪存的主存储系统控制器的数据输出接口与所述译码器的输入端相连;所述编码器根据擦写次数记录模块所送入的状态信号,内部选用不同的基础矩阵进行编码并送到输出端;所述译码器根据擦写次数记录模块送入的状态信号选择相对应的基础矩阵进行译码并输出结果。本发明节约了闪存空间资源,提高闪存存储的整体性能,延长闪存的使用寿命。
搜索关键词: 次数记录 译码器 擦写 主存储系统 控制器 编码器 输出端 闪存 基础矩阵 控制系统 状态信号 原模图 自适应 送入 空间资源 数据输出接口 数据输入接口 输入端连接 使用寿命 输出结果 输入端 译码 存储 节约
【主权项】:
1.一种基于自适应原模图LDPC码的NAND闪存控制系统,其特征在于,包括NAND闪存的主存储系统控制器、擦写次数记录模块、自适应多码率LDPC码编码器、自适应多码率LDPC码译码器;所述擦写次数记录模块的输入端连接NAND闪存的主存储系统控制器,擦写次数记录模块的输出端分别连接自适应多码率LDPC码编码器和自适应多码率LDPC码译码器;所述NAND闪存的主存储系统控制器的数据输入接口连接所述自适应多码率LDPC码编码器的输出端,NAND闪存的主存储系统控制器的数据输出接口与所述自适应多码率LDPC码译码器的输入端相连;所述自适应多码率LDPC码编码器根据擦写次数记录模块所送入的状态信号,内部选用不同的基础矩阵进行编码并送到输出端;所述自适应多码率LDPC码译码器根据擦写次数记录模块送入的状态信号选择相对应的基础矩阵进行译码并输出结果。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学,未经福州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811219435.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top