[发明专利]一种低电阻抗辐照VDMOS芯片的制造方法

摘要

本发明公开了一种低电阻抗辐照VDMOS芯片的制造方法，该低电阻抗辐照VDMOS芯片的制造方法的具体步骤为：步骤一：材料的选择和清洗：选取N型硅外延片，并对N型硅外延片进行清洗，N型硅外延片为N⁺区；步骤二：缓冲层和N^‑区的形成：先在N型硅外延片表面积淀一层半导体缓冲层，再在半导体缓冲层上积淀一层多晶硅，即N^‑区；步骤三：在N^‑区的顶部左右两侧刻蚀掉相应位置的多晶硅，形成P基区，再分别在每个P基区中采用离子注入和推阱工艺形成N⁺区和P⁺区，且同时在形成N⁺区和P⁺区同时参杂形成若干个分压环；步骤四：三层结构栅的形成；步骤五：晶片的形成，本发明结构设计合理，提高VDMOS芯片的抗辐照性能和减弱单粒子烧毁效应。

主权项

1.一种低电阻抗辐照VDMOS芯片的制造方法，其特征在于：该低电阻抗辐照VDMOS芯片的制造方法的具体步骤为：步骤一：材料的选择和清洗：选取N型硅外延片，并对N型硅外延片进行清洗，N型硅外延片为N+区；步骤二：缓冲层和N‑区的形成：先在N型硅外延片表面积淀一层半导体缓冲层，再在半导体缓冲层上积淀一层多晶硅，即N‑区；步骤三：重参杂N+区和P+的形成：在N‑区的顶部左右两侧刻蚀掉相应位置的多晶硅，形成P基区，再分别在每个P基区中采用离子注入和推阱工艺形成重参杂N+区和P+区，且同时在形成重参杂N+区和P+区同时参杂形成若干个分压环；步骤四：三层结构栅的形成：在完成步骤三后，在形成的器件顶部先用氮化栅氧化层工艺在600‑1000℃条件下制备N2O氮化栅氧化层，再用氢氧合成氧化法在600‑1000℃条件下制备的N2O氮化栅氧化层上制备氢氧合成栅氧化层，最后用氮化栅氧化层工艺在600‑1000条件下在氢氧合成栅氧化层上制备N2O氮化栅氧化层，三层结构栅备完成后，在800℃和N2气氛下退火30min；步骤五：晶片的形成：在硅片正面淀积金属形成源电极，在硅片背面淀积金属形成漏电极，完成芯片制造，并在芯片周围套接隔离保护。