[发明专利]一种用于III-V族氮化物功率器件有源区与终端结构的制作方法在审
| 申请号： | 201811202453.7 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109599431A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 韩绍文;杨树;焦若辰;杜鑫;盛况 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L29/78;H01L21/329;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 黄欢娣;邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于III‑V族氮化物功率器件有源区与终端结构的制作方法。该方法可以用于制作III‑V族氮化物材料结势垒肖特基二极管结构。本结构中，外延层包括低掺杂浓度的N型漂移层以及高掺杂浓度的P型外延层。在P区中通过注入氢离子或其他具有相似作用的离子以钝化P区中镁离子的激活，降低P型导电率。通过以上方法可以局部钝化P区并与阳极形成肖特基接触，进而制成GaN结势垒肖特基结势垒二极管。通过以上方法也可以得到不同有效掺杂的区域，从而在器件结边缘制作终端，提高器件耐压。这种工艺在实验室和工业生产的条件下可行性较高。能够在P型III‑V族氮化物中降低P型导电率，从而制成结势垒肖特基、各型终端、IGBT、MOSFET等半导体器件或相关结构。 | ||
| 搜索关键词： | 结势垒肖特基 功率器件 终端结构 制作 氮化物 钝化 源区 氢离子 结势垒肖特基二极管 终端 半导体器件 氮化物材料 肖特基接触 二极管 阳极 有效掺杂 低掺杂 高掺杂 结势垒 镁离子 器件结 外延层 耐压 离子 激活 | ||
【主权项】：
1.一种III‑V族氮化物功率器件的有源区制作方法，其特征在于，该方法包括对有源区的P型掺杂区中的部分区域进行钝化。
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