[发明专利]一种用于III-V族氮化物功率器件有源区与终端结构的制作方法

权利要求书

1.一种III-V族氮化物功率器件的有源区制作方法，其特征在于，该方法包括对有源区的P型掺杂区中的部分区域进行钝化。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，钝化后的区域通过或不通过额外注入离子形成目标浓度的N型区域，且钝化后的区域将与金属电极形成肖特基接触。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述功率器件包括结势垒肖特基二极管(JBS)、混合PiN/Schottky二极管(MPS)。

4.一种III-V族氮化物功率器件的终端结构制作方法，所述功率器件中包含有源区，且所述有源区外围具有P型掺杂区，其特征在于，该方法包括：对有源区外围的P型掺杂区进行局部钝化，获得所述终端结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的终端结构包括结终端扩展、场限环等终端结构。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，终端结构与功率器件的电极、有源区中的任意一个重叠，不重叠或边缘对齐；其深度与主结深度相同，或者不同。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，终端结构单独作为功率器件的终端，或者，与场板或沟槽结构共同构成功率器件的终端，其中所述沟槽的数量为任意个，沟槽的形状是：倒梯形、U型、V型、方形或阶梯型中任一种。

8.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述功率器件包括PiN二极管、肖特基二极管、结势垒肖特基二极管(JBS)、混合PiN/Schottky二极管(MPS)、MOSFET、电流孔径垂直电子晶体管(CAVET)。

9.根据权利要求1～8任一项所述的制作方法，其特征在于，所述钝化是通过引入离子来实现的，所述离子包括但不限于氢离子。

10.根据权利要求1～8所述的制作方法，其特征在于，离子的引入方式包括但不限于：离子注入、等离子体工艺、在含相应元素的气体氛围中经退火、在含相应元素的液体中浸泡。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，离子的引入是采用相应的等离子体通过反应离子刻蚀、感应耦合等离子体-反应离子刻蚀、等离子体增强原子层沉积、等离子体增强化学气相沉积中任一种或多种工艺引入。

12.根据权利要求1～8所述的制作方法，其特征在于，功率器件的衬底为氮化镓、碳化硅、硅、蓝宝石、绝缘体上硅(SOI)、氮化铝、金刚石中任一种。

13.根据权利要求1～8所述的制作方法，其特征在于，功率器件的介质层为二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化铪、聚合物中任一种或多种介质层组合。

14.根据权利要求1～8所述的制作方法，其特征在于，在钝化之前对需要钝化的目标半导体区域进行刻蚀或不刻蚀处理。

15.根据权利要求1～8所述的制作方法，其特征在于，钝化后的区域中，界面电荷衡量在1×10¹¹～1×10¹⁶cm^-2，体电荷衡量在1×10¹⁵～1×10²⁰cm^-3。