[发明专利]一种半导体存储器及其制造方法

摘要

本申请公开了一种半导体存储器及其制造方法。在该方法中，对接在一起的第一堆叠结构和第二堆叠结构中的沟道孔内的功能层分别形成，而非在对接以后，通过一步工艺同时形成，因此，在形成上层堆叠结构即第二堆叠结构之前，就将底层堆叠结构即第一堆叠结构底部的存储器层刻蚀掉，相较于上下两层堆叠结构的沟道孔的纵横比，一层堆叠结构的沟道孔的纵横比要小一半，因此，本申请提供的方法能够降低沟道孔底部的存储器层的刻蚀工艺难度，同理，也能降低存储阵列公共源极的刻蚀工艺难度。此外，在本申请提供的方法中，上下堆叠结构沟道孔内的功能层分别形成，如此，提高了薄膜均匀性，改善了结构或应力方面的问题。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上方的第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔，所述第一沟道孔内形成有存储器的功能层；位于所述第一堆叠结构上方的栅连接层，所述栅连接层上形成有开口，所述开口位于所述第一沟道孔的上方；位于所述开口内的插塞结构，所述插塞结构与第一沟道孔内的功能层连接；以及覆盖所述栅连接层及所述插塞结构的第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括贯穿所述第二堆叠结构的第二沟道孔，所述第二沟道孔内形成有存储器的功能层；所述第二沟道孔内的功能层通过所述插塞结构与第一沟道孔的功能层连接。