[发明专利]一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201811198063.7 申请日: 2018-10-15
公开(公告)号: CN109473459B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 郭天福 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种有机发光二极管显示器封装结构及其制作方法,包括依次设置的栅极绝缘层、第一阻隔层、第一有机缓冲层、第一疏水层、第二有机缓冲层以及第二阻隔层。本发明涉及的一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法。其通过在其发光区域(有效显示区域)到有机缓冲层阻挡墙之间的区域内沉积具有微纳米结构的疏水材料层,使其能有效限制制备时第一有机缓冲层材料的流动,从而可以在所述第一疏水层之上再次沉积所述第二有机缓冲层,如此,双层的有机缓冲层的厚度能够更好的包裹住该区域内的异物,从而减少水氧通过这些区域进入OLED器件内部的可能,增强TFE对OLED器件的保护能力。
搜索关键词: 一种 有机 发光二极管 器件 封装 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种有机发光二极管显示器封装结构,其特征在于,包括:栅极绝缘层,所述栅极绝缘层上设有像素定义层以及挡墙;所述像素定义层的有效显示区域边缘与挡墙之间的区域为工作区;第一阻隔层;所述第一阻隔层覆盖于所述像素定义层及所述挡墙上;第一有机缓冲层,所述第一有机缓冲层设置于所述像素定义层上方的所述第一阻隔层上;第一疏水层,所述第一疏水层设置于所述工作区上方的所述第一有机缓冲层上,所述第一疏水层表面具有微纳米结构,用于限制所述第一有机缓冲层的边界;第二有机缓冲层,所述第二有机缓冲层设置于所述第一疏水层上;以及第二阻隔层,所述第二阻隔层覆盖于所述第二有机缓冲层上。
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