[发明专利]一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法有效
| 申请号: | 201811198063.7 | 申请日: | 2018-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN109473459B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
| 发明(设计)人: | 郭天福 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 器件 封装 结构 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种有机发光二极管显示器封装结构及其制作方法,包括依次设置的栅极绝缘层、第一阻隔层、第一有机缓冲层、第一疏水层、第二有机缓冲层以及第二阻隔层。本发明涉及的一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法。其通过在其发光区域(有效显示区域)到有机缓冲层阻挡墙之间的区域内沉积具有微纳米结构的疏水材料层,使其能有效限制制备时第一有机缓冲层材料的流动,从而可以在所述第一疏水层之上再次沉积所述第二有机缓冲层,如此,双层的有机缓冲层的厚度能够更好的包裹住该区域内的异物,从而减少水氧通过这些区域进入OLED器件内部的可能,增强TFE对OLED器件的保护能力。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(英文全称:Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物(ITO),与电力之正极相连,再加上另一个金属阴极,包成如三明治的结构。整个结构层中包括了:空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时,正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合,产生光亮,依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色,构成基本色彩。
与TFT-LCD不同的是,OLED依靠自身的特性发光,不需要背光源,因此可视度和亮度均高,其次是电压需求低且省电效率高,加上反应快、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低等,被视为21世纪最具前途的产品之一。特别是OLED可以在柔性基板上做成能弯曲的柔性器件,这更是OLED所特有的巨大优势。为了实现OLED的该种优势(柔性显示),薄膜封装(英文全称:Thin-Film Encapsulation,简称TFE)技术是必不可少的核心技术。
对于OLED器件,外界使用环境中存在的水氧是其致命杀手,因而对于薄膜封装技术,最为重要的是其阻水氧阻隔层的性能,在此基础上需兼顾TFE膜层的光学穿透以及柔性弯曲等性能。对于OLED器件,外界水氧的入侵途径可分为两类:途径一是水氧从上向下直接穿透TFE膜层进入OLED器件内部;途径二是水氧从TFE膜层侧面进入侵蚀OLED,因此这两种入侵途径是TFE膜层结构设计中必须考虑的前提条件。目前制程过程中产生的异物导致外界水氧更多的是通过途径二进入OLED器件内部,最终导致TFE封装失效。因此,需要寻找一种OLED的封装结构来有效地包住制程过程中产生的异物,减少水氧侵入OLED器件内部的可能。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法,其能够解决目前水氧易通过制程过程中产生的异物侵入OLED器件内部,TFE技术对OLED器件的保护能力低等问题。
为了实现上述目的,本发明的一个实施方式提供了一种有机发光二极管显示器件的封装结构,包括依次设置的栅极绝缘层、第一阻隔层、第一有机缓冲层、第一疏水层、第二有机缓冲层以及第二阻隔层。所述栅极绝缘层上设有像素定义层以及挡墙,其中所述像素定义层的有效显示区域边缘与挡墙之间的区域为工作区。所述第一阻隔层覆盖于所述像素定义层及所述挡墙上,所述第一有机缓冲层设置于所述像素定义层上方的所述第一阻隔层上,所述第一疏水层设置于所述工作区上方的所述第一有机缓冲层上,其中所述第一疏水层表面具有微纳米结构,用于限制所述第一有机缓冲层的边界,所述第二有机缓冲层设置于所述第一疏水层上,所述第二阻隔层覆盖于所述第二有机缓冲层上。
进一步的,其中所述第一疏水层表面的微纳米结构之间的间隙小于或等于50μm。
进一步的,其中所述第一疏水层的构成材料包括聚四氟乙烯。
进一步的,其中所述第一疏水层表面的微纳米结构是通过等离子表面蚀刻的方式形成。
进一步地,其中所述第一疏水层通过物理气相沉积的方式沉积在所述第一有机缓冲层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





