[发明专利]一种有机发光二极管器件的封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201811198063.7 申请日: 2018-10-15
公开(公告)号: CN109473459B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 郭天福 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 发光二极管 器件 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管显示器封装结构,其特征在于,包括:

栅极绝缘层,所述栅极绝缘层上设有像素定义层以及挡墙;

所述像素定义层的有效显示区域边缘与挡墙之间的区域为工作区;

第一阻隔层;所述第一阻隔层覆盖于所述像素定义层及所述挡墙上;

第一有机缓冲层,所述第一有机缓冲层设置于所述像素定义层上方的所述第一阻隔层上;

第一疏水层,所述第一疏水层设置于所述工作区上方的所述第一有机缓冲层上,所述第一疏水层表面具有微纳米结构,用于限制所述第一有机缓冲层的边界;

第二有机缓冲层,所述第二有机缓冲层设置于所述第一疏水层上;以及

第二阻隔层,所述第二阻隔层覆盖于所述第二有机缓冲层上;

其中,所述第一疏水层表面的微纳米结构之间的间隙小于或等于50μm。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构,其特征在于,所述第一疏水层的构成材料包括聚四氟乙烯。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构,其特征在于,所述第一疏水层表面的微纳米结构是通过等离子表面蚀刻的方式形成。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构,其特征在于,所述第一疏水层通过物理气相沉积的方式沉积在所述第一有机缓冲层上。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构,其特征在于,所述第一有机缓冲层的构成材料包括亚克力或环氧树脂化合物中的一种。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构,其特征在于,还包括:

第二疏水层,所述第二疏水层设置于所述第二有机缓冲层上,所述第二疏水层表面具有微纳米结构,用于限制所述第二有机缓冲层的边界;

第三有机缓冲层,所述第三有机缓冲层设置于所述第二疏水层与所述第二阻隔层之间。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构,其特征在于,还包括:

玻璃基板;

聚酰亚胺基板,所述聚酰亚胺基板设置于所述玻璃基板上;以及

功能层,所述功能层设置于所述像素定义层与所述第一阻隔层之间。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器封装结构,其特征在于,所述功能层包括:

空穴传输层,所述空穴传输层设置于所述聚酰亚胺基板上;

发光层,所述发光层设置于所述空穴传输层上;以及

电子传输层,所述电子传输层设置于所述发光层上。

9.一种权利要求1所述的有机发光二极管显示器封装结构的制作方法,其特征在于,包括:

提供一玻璃基板;

在玻璃基板上通过聚酰亚胺涂布机涂布聚酰亚胺材料,经过高温固化形成聚酰亚胺基板;

在聚酰亚胺基板上经过TFT工艺制程形成功能层;

通过TFT工艺制程在所述功能层上形成栅极绝缘层,并在所述栅极绝缘层上设置像素定义层及挡墙;

在所述像素定义层及所述挡墙上设置第一阻隔层;

在所述像素定义层上方的所述第一阻隔层上设置第一有机缓冲层;

在所述工作区上方的所述第一有机缓冲层上设置第一疏水层,然后对所述第一疏水层表面进行等离子蚀刻处理,使第一疏水层表面具有微纳米结构;

在所述第一疏水层上设置第二有机缓冲层;

在所述第二有机缓冲层上覆盖第二阻隔层。

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