[发明专利]基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201811194597.2 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109346570A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈景文;张毅;单茂诚;谭波;龙翰凌;张爽 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 徐松 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，属于半导体LED芯片制造技术领域，所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法包括获取氧化镓衬底，在所述氧化镓衬底上制作氮化铝镓缓冲层；在所述氮化铝镓缓冲层上制作氮化铝镓材料层；在所述氮化铝镓材料层上制作多量子阱结构层；在所述多量子阱结构层上制作电子阻挡层；在所述电子阻挡层上制作P型薄膜层，以制备所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片。本发明达到无需对LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镓 深紫外LED 垂直芯片 制备 制作 氮化铝镓缓冲层 多量子阱结构层 电子阻挡层 氮化铝镓 材料层 衬底 芯片制造技术 半导体LED 衬底材料 技术效果 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，其特征在于，所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法包括：获取氧化镓衬底，在所述氧化镓衬底上制作氮化铝镓缓冲层；在所述氮化铝镓缓冲层上制作氮化铝镓材料层；在所述氮化铝镓材料层上制作多量子阱结构层；在所述多量子阱结构层上制作电子阻挡层；在所述电子阻挡层上制作P型薄膜层，以制备所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学，未经华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811194597.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
