[发明专利]基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201811194597.2 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109346570A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈景文;张毅;单茂诚;谭波;龙翰凌;张爽 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 徐松 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化镓 深紫外LED 垂直芯片 制备 制作 氮化铝镓缓冲层 多量子阱结构层 电子阻挡层 氮化铝镓 材料层 衬底 芯片制造技术 半导体LED 衬底材料 技术效果 剥离 | ||
1.一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，其特征在于，所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法包括：
获取氧化镓衬底，在所述氧化镓衬底上制作氮化铝镓缓冲层；
在所述氮化铝镓缓冲层上制作氮化铝镓材料层；
在所述氮化铝镓材料层上制作多量子阱结构层；
在所述多量子阱结构层上制作电子阻挡层；
在所述电子阻挡层上制作P型薄膜层，以制备所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片。
2.如权利要求1所述的基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：
所述氧化镓衬底的制作材料是n型氧化镓材料。
3.如权利要求2所述的基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：
所述氧化镓衬底的厚度范围从100μm到700μm。
4.如权利要求3所述的基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：
所述氮化铝镓缓冲层的制作材料是n型氮化铝镓材料。
5.如权利要求4所述的基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：
所述氮化铝镓材料层的制作材料是n型氮化铝镓材料。
6.如权利要求5所述的基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：
所述多量子阱结构层的发光波长不低于260nm。
7.如权利要求6所述的基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：
所述电子阻挡层的厚度范围大于1nm。
8.如权利要求7所述的基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：
所述电子阻挡层的厚度范围小于100nm。
9.如权利要求8所述的基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：
所述P型薄膜层的制作材料是p型氮化镓材料。
10.如权利要求8所述的基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，其特征在于：
所述P型薄膜层的制作材料是p型氮化铝镓材料。
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