[发明专利]基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法

说明书

本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，属于半导体LED芯片制造技术领域，所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法包括获取氧化镓衬底，在所述氧化镓衬底上制作氮化铝镓缓冲层；在所述氮化铝镓缓冲层上制作氮化铝镓材料层；在所述氮化铝镓材料层上制作多量子阱结构层；在所述多量子阱结构层上制作电子阻挡层；在所述电子阻挡层上制作P型薄膜层，以制备所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片。本发明达到无需对LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。

技术领域

本发明属于半导体LED芯片制造技术领域，特别涉及一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法。

背景技术

紫外LED芯片一般指发光中心波长在400nm以下的LED，对于发光波长大于320nm时的可以称为近紫外LED，而短于320nm的为深紫外LED。深紫外LED能有效杀菌消毒，因此被广泛应用在空气净化、水净化、表面杀菌等应用领域，例如应用在冰箱、空调、加湿器、空气净化器等与人类高品质生活息息相关设备中。

目前，对于深紫外LED芯片的现有技术而言，深紫外LED的外延技术中主要是采用不导电的c面蓝宝石作为衬底，在进行垂直结构深紫外LED垂直芯片制备的过程中，需要从AlN/n-AlGaN界面处将AlN/Sapphire模板直接剥离。但是，由于n-AlGaN的生长温度远高于蓝光LED作为n型导电层的GaN材料。这样使得通过激光剥离技术也难以在AlN/n-AlGaN界面处形成足以让AlGaN材料分解汽化的温度，继而导致无法完成AlN/Sapphire模板的剥离，从而无法制备出垂直结构的深紫外LED芯片。

综上所述，在现有的深紫外LED垂直芯片的技术中，存在着无法对LED外延片的衬底材料进行剥离，难以制备深紫外LED垂直芯片。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是在现有的深紫外LED芯片的技术中，存在着无法对LED外延片的衬底材料进行剥离，难以制备深紫外LED垂直芯片的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法包括获取氧化镓衬底，在所述氧化镓衬底上制作氮化铝镓缓冲层；在所述氮化铝镓缓冲层上制作氮化铝镓材料层；在所述氮化铝镓材料层上制作多量子阱结构层；在所述多量子阱结构层上制作电子阻挡层；在所述电子阻挡层上制作P型薄膜层，以制备所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片。

进一步地，所述氧化镓衬底的制作材料是n型氧化镓材料。

进一步地，所述氧化镓衬底的厚度范围从100μm到700μm。

进一步地，所述氮化铝镓缓冲层的制作材料是n型氮化铝镓材料。

进一步地，所述氮化铝镓材料层的制作材料是n型氮化铝镓材料。

进一步地，所述多量子阱结构层的发光波长不低于260nm。

进一步地，所述电子阻挡层的厚度范围大于1nm。

进一步地，所述电子阻挡层的厚度范围小于100nm。

进一步地，所述P型薄膜层的制作材料是p型氮化镓材料。

进一步地，所述P型薄膜层的制作材料是p型氮化铝镓材料。

有益效果：