[发明专利]氧化物剥落停止器在审
| 申请号： | 201811189071.5 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109671682A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | C.阿尔特斯泰特;O.布兰克;I.诺伊曼;R.罗特马勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈晓;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明公开了氧化物剥落停止器。一种功率半导体管芯（100），具有：半导体主体（10）；半导体主体（10）上的绝缘层（11）；钝化结构（13），所述钝化结构（13）被布置在绝缘层（11）上方并且以使得暴露第一绝缘层子区段（1111），所述第一绝缘层子区段（1111）延伸到功率半导体管芯（100）的边缘（105）；以及在第一绝缘层子区段（1111）中的中断结构（12）。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 子区段 功率半导体管芯 半导体主体 钝化结构 停止器 氧化物 剥落 中断 暴露 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体管芯（100），具有：‑半导体主体（10）；‑半导体主体（10）上的绝缘层（11）；‑钝化结构（13），其被布置在绝缘层（11）上方并且以使得暴露第一绝缘层子区段（1111），所述第一绝缘层子区段（1111）延伸到功率半导体管芯（100）的边缘（105）；以及‑第一绝缘层子区段（1111）中的中断结构（12）。
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