[发明专利]氧化物剥落停止器

说明书

本发明公开了氧化物剥落停止器。一种功率半导体管芯（100），具有：半导体主体（10）；半导体主体（10）上的绝缘层（11）；钝化结构（13），所述钝化结构（13）被布置在绝缘层（11）上方并且以使得暴露第一绝缘层子区段（1111），所述第一绝缘层子区段（1111）延伸到功率半导体管芯（100）的边缘（105）；以及在第一绝缘层子区段（1111）中的中断结构（12）。

技术领域

本说明书涉及功率半导体管芯的实施例，涉及半导体晶圆的实施例，以及涉及处理半导体晶圆的方法的实施例。特别地，本说明书涉及包括用于阻止在晶圆切割处理步骤期间可能发生的氧化物剥落（oxide-peeling）的构件的功率半导体管芯的实施例。

背景技术

汽车、消费者和工业应用中的现代设备的许多功能，诸如转换电能以及驱动电动机或电机，依赖于功率半导体器件。

例如，仅举几例，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）以及二极管，已经用于各种应用，包括但不限于电源和功率转换器中的开关。

功率半导体器件通常包括功率半导体管芯，所述功率半导体管芯被配置成沿着在所述管芯的两个负载端子之间的负载电流路径传导负载电流。进一步地，可以借助于绝缘电极来控制负载电流路径，所述绝缘电极有时被称为栅极电极。例如，在从例如驱动器单元接收对应的控制信号时，控制电极可以将功率半导体器件设置在导通状态和阻断状态之一中。

关于制造过程，多个功率半导体管芯通常在单个晶圆内被同时处理；即，在已经被处理之后，所述半导体晶圆可以包括多个功率半导体管芯。

晶圆然后经受分离处理步骤，例如切割步骤，并且晶圆被划分成多个分离的管芯。在品质检查之后，管芯然后可以被封入封装中，并且此后被递送到消费者。

所述品质检查可以包括检查在分离处理步骤期间是否已经损伤了管芯。例如，在切割期间，被暴露于切割（例如激光切割）的绝缘层可能变得受损伤。

例如，如果被认为受损伤，或相应地，如果不能可靠地确保管芯尚未受损伤，则管芯不被封装而是被丢弃。

发明内容

本说明书的某些方面有关于可视地布置的中断结构，其被配置成例如用于阻止绝缘层的剥落。

根据实施例，一种功率半导体管芯，具有：半导体主体；在半导体主体上的绝缘层；钝化结构，其被布置在绝缘层上方并且以使得暴露第一绝缘层子区段，所述第一绝缘层子区段延伸到功率半导体管芯的边缘；以及在第一绝缘层子区段中的中断结构。

根据另外的实施例，一种半导体晶圆，包括：半导体主体；在半导体主体上的绝缘层；具有功率半导体管芯的管芯区；被布置成与管芯区相邻的切割区；钝化结构，其被布置在绝缘层上方并且以使得暴露绝缘层的区段，其中所暴露的绝缘层区段的第一子区段延伸到管芯区中，并且其中所暴露的绝缘层区段的第二子区段延伸到切割区中；以及在第一绝缘层子区段中的中断结构。

根据又另外的实施例，一种方法包括：提供半导体晶圆。所提供的半导体晶圆具有：半导体主体；在半导体主体上的绝缘层；具有功率半导体管芯的管芯区；被布置成与管芯区相邻的切割区；钝化结构，其被布置在绝缘层上方并且以使得暴露绝缘层的区段，其中所暴露的绝缘层区段的第一子区段延伸到管芯区中，并且其中所暴露的绝缘层区段的第二子区段延伸到切割区中；以及在第一绝缘层子区段中的中断结构。所述方法还包括沿着切割区对半导体晶圆进行切割同时至少部分地维持中断结构。

本领域技术人员在阅读以下详细描述时以及在查看附图时将认识到附加的特征和优点。

附图说明

各图中的各部分不一定是按比例的，代替地把重点放在说明本发明的原理上。此外，在各图中，同样的参考标号可以指定对应的部分。在附图中：