[发明专利]氧化物剥落停止器

权利要求书

1.一种功率半导体管芯（100），具有：

-半导体主体（10）；

-半导体主体（10）上的绝缘层（11）；

-钝化结构（13），其被布置在绝缘层（11）上方并且以使得暴露第一绝缘层子区段（1111），所述第一绝缘层子区段（1111）延伸到功率半导体管芯（100）的边缘（105）；以及

-第一绝缘层子区段（1111）中的中断结构（12）。

2.根据权利要求1所述的功率半导体管芯（100），其中所述中断结构（12）从绝缘层（11）的上表面（119）延伸至少到绝缘层（11）的下表面（118）。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体管芯（100），其中所述中断结构（12）包括与绝缘层（11）的材料不同的材料。

4.根据前述权利要求中之一所述的功率半导体管芯（100），其中所述中断结构（12）包括接触插塞，其用于接触半导体主体（10）和沟槽电极（151）中的一个。

5.根据前述权利要求中之一所述的功率半导体管芯（100），其中所述中断结构（12）被配置成阻止绝缘层（11）的横向剥落过程。

6.根据前述权利要求中之一所述的功率半导体管芯（100），其中所述中断结构（12）被布置在不被钝化结构（13）覆盖的位置中。

7.根据前述权利要求中之一所述的功率半导体管芯（100），其中所述中断结构（12）使绝缘层（11）中断。

8.根据前述权利要求中之一所述的功率半导体管芯（100），其中所述中断结构（12）围绕功率半导体管芯（100）的边缘终止区（190）。

9.根据前述权利要求中之一所述的功率半导体管芯（100），其中所述中断结构（12）包括多个接触条带的布置，所述多个接触条带被耦合到彼此以使得形成大体上封闭的结构。

10.根据前述权利要求中之一所述的功率半导体管芯（100），还包括：

-多个沟槽（15），其中沟槽（15）中的每一个包括沟槽电极（151），所述沟槽电极（151）通过沟槽绝缘体（152）与半导体主体（10）绝缘；以及

-多个接触插塞（154），其用于接触沟槽电极（151）和/或半导体主体（10），其中接触插塞（154）中的每一个从绝缘层（11）的上表面（119）延伸到绝缘层（11）的下表面（118）。

11.根据前述权利要求中之一所述的功率半导体管芯（100），还包括被布置在绝缘层（11）上方以及钝化结构（13）下方的前侧金属化部（110），其中所述前侧金属化部（110）电连接到功率半导体管芯（100）的有源区（180）中的半导体主体（10），所述有源区（180）从第一绝缘层子区段（1111）横向移位。

12.根据权利要求10和11所述的功率半导体管芯（100），其中接触插塞（154）中的至少一些电连接到前侧金属化部（110）。

13.根据权利要求10或12所述的功率半导体管芯（100），其中沟槽（15）中的至少一个与第一绝缘层子区段（1111）横向地重叠，并且其中电接触该至少一个沟槽（15）的沟槽电极（151）或与该至少一个沟槽（15）的沟槽绝缘体（152）相邻的半导体区的接触插塞形成中断结构（12）的一部分。

14.根据前述权利要求中之一所述的功率半导体管芯（100），其中：

-钝化结构（13）包括酰亚胺；和/或其中

-绝缘层（11）包括硼磷硅酸盐玻璃；和/或其中

-中断结构（12）包括金属。