[发明专利]半导体衬底和其制造方法在审
| 申请号： | 201811183546.X | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110473854A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 李灿辉;赖律名 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 蕭輔寬<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体衬底和其制造方法。所述半导体衬底包括载体和导电柱。所述载体具有第一表面、与所述第一表面对置的第二表面以及延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的侧表面。所述载体具有延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的通孔。所述载体具有在所述侧表面上的第一开口。所述导电柱安置于所述通孔内。 | ||
| 搜索关键词： | 第一表面 第二表面 侧表面 导电柱 衬底 通孔 半导体 延伸 对置 开口 安置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底，其包含：/n载体，其具有第一表面、与所述第一表面对置的第二表面以及延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的侧表面，其中所述载体具有延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的通孔且其中所述载体具有在所述侧表面上的第一开口；以及/n导电柱，其安置于所述通孔内。/n
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