[发明专利]半导体衬底和其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体衬底和其制造方法。所述半导体衬底包括载体和导电柱。所述载体具有第一表面、与所述第一表面对置的第二表面以及延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的侧表面。所述载体具有延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的通孔。所述载体具有在所述侧表面上的第一开口。所述导电柱安置于所述通孔内。

技术领域

本发明涉及一种半导体衬底和一种用于制造半导体衬底的方法。

背景技术

在包括各种类型的电子组件的半导体装置封装中，电子组件的高度或厚度可彼此不同。在一些应用(例如，光学装置)中，电子组件应安置在类似水平，且因此插入件需要安置在衬底与相对较薄的电子组件之间以增加其高度或厚度。然而，由于用于制造插入件的程序的限制，插入件的厚度的失真或容限相对高(例如，大于10％)。需要开发具有精确受控的厚度或高度的插入件。

发明内容

根据本发明的一方面，一种半导体衬底包括载体和导电柱。所述载体具有第一表面、与所述第一表面对置的第二表面以及延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的侧表面。所述载体具有延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的通孔。所述载体具有在所述侧表面上的第一开口。所述导电柱安置于所述通孔内。

根据本发明的另一方面，一种半导体封装包括半导体衬底、导电触点以及电子组件。所述半导体衬底具有载体和导电柱。所述载体具有第一表面、与所述第一表面对置的第二表面以及延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的侧表面。所述载体具有延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的通孔。所述载体具有在所述侧表面上的邻近于所述载体的所述第一表面的第一开口。所述导电柱安置于所述通孔内。所述导电触点安置于所述载体的所述第一表面上。所述电子组件安置于所述载体的所述第一表面上且经由所述导电触点电连接到所述导电柱。

根据本发明的另一方面，一种用于制造半导体封装的方法包括：(a)提供载体，其具有穿透所述载体的通孔和在所述载体的侧表面上的开口，其中所述通孔连接到所述开口；(b)在所述通孔内安置导电柱；和(c)经由导电触点将电子组件连接到所述导电柱。

附图说明

图1A示出根据本发明的一些实施例的衬底的透视图。

图1B示出根据本发明的一些实施例的衬底的透视图。

图2示出根据本发明的一些实施例的衬底的透视图。

图3示出根据本发明的一些实施例的半导体封装的截面图。

图4A、4B和4C示出根据本发明的一些实施例的用于制造半导体封装的方法。

贯穿图式和详细描述使用共同元件符号来指示相同或类似组件。根据结合附图进行的以下详细描述可最好地理解本发明。

具体实施方式

图1A示出根据本发明的一些实施例的衬底1(或插入件)的透视图。衬底1包括载体10和多个导电柱11。

载体10具有表面101(也被称作第一表面)、与表面101对置的表面102(也被称作第二表面)以及延伸于表面101与表面102之间的表面103(也被称作侧表面)。载体10具有穿透载体10且由导电柱11填充的多个通孔(或开口)。举例来说，所述通孔延伸于表面101与表面102之间。所述通孔彼此分开。举例来说，通孔不连接到邻近通孔中的任一个。在一些实施例中，载体10由聚合物或树脂形成或包括聚合物或树脂。在一些实施例中，载体10可通过射出成形技术形成，且载体10的厚度的失真或容限小于1％。在一些实施例中，载体10的厚度等于或大于1毫米(mm)。