[发明专利]半导体衬底和其制造方法在审
| 申请号： | 201811183546.X | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110473854A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 李灿辉;赖律名 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 蕭輔寬<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一表面 第二表面 侧表面 导电柱 衬底 通孔 半导体 延伸 对置 开口 安置 制造 | ||
1.一种半导体衬底，其包含：
载体，其具有第一表面、与所述第一表面对置的第二表面以及延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的侧表面，其中所述载体具有延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的通孔且其中所述载体具有在所述侧表面上的第一开口；以及
导电柱，其安置于所述通孔内。
2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第一开口暴露所述导电柱的侧表面的一部分。
3.根据权利要求1所述的半导体衬底，其进一步包含在所述载体的所述侧表面上的第二开口，其中所述第二开口与所述第一开口分开。
4.根据权利要求3所述的半导体衬底，其中所述第一开口邻近于所述载体的所述第一表面且所述第二开口邻近于所述载体的所述第二表面。
5.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述第一开口的宽度小于或等于所述导电柱的侧表面的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体衬底，其进一步包含在所述载体的所述侧表面上的第二开口，其中所述第二开口邻近于所述第一开口且与所述第一开口分开，且其中所述第一开口和所述第二开口邻近于所述载体的所述第一表面。
7.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述载体包括聚合物或树脂。
8.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述导电柱包括铜合金或石墨烯。
9.根据权利要求1所述的半导体衬底，其中所述导电柱具有在邻近于所述载体的所述第一表面的所述导电柱的末端处的导引结构。
10.一种半导体封装，其包含：
半导体衬底，其包括：
载体，其具有第一表面、与所述第一表面对置的第二表面以及延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的侧表面，其中所述载体具有延伸于所述第一表面与所述第二表面之间的通孔且其中所述载体具有在邻近于所述载体的所述第一表面的所述侧表面上的第一开口；以及
导电柱，其安置于所述通孔内；
导电触点，其安置于所述载体的所述第一表面上；以及
电子组件，其安置于所述载体的所述第一表面上且经由所述导电触点电连接到所述导电柱。
11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述第一开口暴露所述导电柱的侧表面的一部分。
12.根据权利要求10所述的半导体封装，其进一步包含在所述载体的所述侧表面上的第二开口，其中所述第二开口与所述第一开口分开，且其中所述第一开口邻近于所述载体的所述第一表面且所述第二开口邻近于所述载体的所述第二表面。
13.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述第一开口的宽度小于或等于所述导电柱的侧表面的宽度。
14.根据权利要求10所述的半导体封装，其进一步包含在所述载体的所述侧表面上的第二开口，其中所述第二开口邻近于所述第一开口且与所述第一开口分开，且其中所述第一开口和所述第二开口邻近于所述载体的所述第一表面。
15.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述导电触点的一部分安置于所述第一开口内。
16.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述导电触点包括锡或锡合金。
17.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述电子组件为光学装置。
18.根据权利要求10所述的半导体封装，其进一步包含电连接到所述载体的所述第二表面的印刷电路板。
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