[发明专利]高压电容器及制造该高压电容器的方法在审
| 申请号： | 201811181462.2 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110061132A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 刘钢;Q-Z·洪 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开高压电容器及制造该高压电容器的方法。一种设备包括在半导体衬底(402)上方的电容器的第一电极(302)。第一电极(302)平行于与衬底(402)垂直的平面。该设备还包括与第一电极(302)间隔开并平行于该平面的第二电极(304)。第一电极(302)和第二电极(302)各自包括：(1)第一金属层(406、410、414、418、422)中的第一金属段(424)，(2)第二金属层(406、410、414、418、422)中的第二金属段(424)，以及(3)在第一金属层(406、410、414、418、422)与第二金属层(406、410、414、418、422)之间的金属间电介质层(408、412、416、420)中的导电通孔(426)，该导电通孔(426)使第一金属段(424)和第二金属段(424)互连。 | ||
| 搜索关键词： | 高压电容器 第一电极 金属 第二金属层 第一金属层 导电通孔 第二电极 衬底 平行 电容器 金属间电介质 垂直的 平面的 互连 半导体 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种设备，其包括电容器，所述电容器具有：第一电极，其在半导体衬底上方，所述第一电极平行于与所述衬底垂直的平面；以及第二电极，其与所述第一电极间隔开并平行于所述平面，其中所述第一电极和所述第二电极各自包括：(1)在第一金属层中的第一金属段，(2)在第二金属层中的第二金属段，以及(3)在所述第一金属层与所述第二金属层之间的金属间电介质层中的导电通孔，所述导电通孔使所述第一金属段和所述第二金属段互连。
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