[发明专利]高压电容器及制造该高压电容器的方法

说明书

本申请公开高压电容器及制造该高压电容器的方法。一种设备包括在半导体衬底(402)上方的电容器的第一电极(302)。第一电极(302)平行于与衬底(402)垂直的平面。该设备还包括与第一电极(302)间隔开并平行于该平面的第二电极(304)。第一电极(302)和第二电极(302)各自包括：(1)第一金属层(406、410、414、418、422)中的第一金属段(424)，(2)第二金属层(406、410、414、418、422)中的第二金属段(424)，以及(3)在第一金属层(406、410、414、418、422)与第二金属层(406、410、414、418、422)之间的金属间电介质层(408、412、416、420)中的导电通孔(426)，该导电通孔(426)使第一金属段(424)和第二金属段(424)互连。

技术领域

本公开总体涉及半导体器件，并且更特别地涉及高压电容器及制造该高压电容器的方法。

背景技术

经常使用间隔开一定距离的两个导电电极制造电容器，其中电介质材料被设置在两个导电电极之间。此类器件的电容与电极的表面积成比例相关，并且与电极之间的距离反向相关。也就是说，随着电极尺寸的增加以及它们之间的距离减小，电容增加。然而，电容器中的电极之间的最小距离受到设置在电极之间的电介质材料的击穿电压的限制。因此，制造高压电容器通常涉及使用间隔更远的更大电极，从而导致比额定用于较低电压的可比较的电容器更低的电容密度。

附图说明

图1示出用于示例电容器的电极的示例布局的俯视图。

图2是使用已知技术构造的沿图1的线2-2截取的图1的示例电容器的截面图。

图3示出根据本文所公开的教导构造的示例电容器的电极的示例布局的俯视图。

图4是沿图3的线4-4截取的图3的示例电容器的截面图。

图5是沿图4的线5-5切割的图3和图4的示例电容器的顶部透视剖切图。

图6是沿图3、图4和图5中的每个所示的线6-6截取的图3至图5的示例电容器的截面图。

图7是根据本文所公开的教导构造的另一示例电容器的顶部透视剖切图。

图8是沿图7的线8-8截取的图7的示例电容器的截面图。

图9至图14示出制造图3至图8的示例电容器的渐进阶段。

图15是表示制造图3至图8的示例电容器的示例方法的流程图。

图16是示例处理器系统的框图，该处理器系统与一个或多个半导体制作机器相关联以执行至少部分地由图15的示例方法表示的示例机器可读指令以制造图3至图8的示例电容器。

附图不是成比例的。代替地，为了阐明多个层和区域，可在附图中扩大层的厚度。只要有可能，在整个(一个或多个)附图和随附的书面描述中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。如在本专利中所使用的，陈述任何部件(例如，层、膜、区域或板)以任何方式定位在另一部件上(例如，定位在其上、位于其上、设置在其上或形成在其上等)指示所参考的部件与另一部件接触，或者所参考的部件在另一部件上方，其中一个或多个中间部件位于其间。陈述任何部件与另一部件接触意指两个部件之间没有中间部件。

具体实施方式