[发明专利]高压电容器及制造该高压电容器的方法

权利要求书

1.一种设备，其包括电容器，所述电容器具有：

第一电极，其在半导体衬底上方，所述第一电极平行于与所述衬底垂直的平面；以及

第二电极，其与所述第一电极间隔开并平行于所述平面，其中所述第一电极和所述第二电极各自包括：(1)在第一金属层中的第一金属段，(2)在第二金属层中的第二金属段，以及(3)在所述第一金属层与所述第二金属层之间的金属间电介质层中的导电通孔，所述导电通孔使所述第一金属段和所述第二金属段互连。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电通孔是沿所述第一金属段和所述第二金属段的长度分布的多个导电通孔中的一个。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电通孔是沿所述第一金属段和所述第二金属段的长度延伸的细长金属条。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属间电介质层包括细长沟槽，所述细长沟槽限定所述导电通孔的形状。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述电容器具有大于80伏的额定电压。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述电容器具有至少0.02毫微微法拉/平方微米的电容密度。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电极与所述第二电极之间的电容耦合被取向为对应于平行于所述第一金属层和所述第二金属层的方向的横向耦合。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电极的所述第一金属段、所述第二金属段和所述导电通孔对准以形成实质上垂直于所述第一金属层和所述第二金属层的第一壁，并且其中所述第二电极的所述第一金属段、所述第二金属段和所述导电通孔对准以形成实质上平行于所述第一壁的第二壁。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电极和所述第二电极在线后端工艺期间形成。

10.一种设备，包括：

电容器的第一电极，其被支撑在半导体衬底的表面上方，所述第一电极包括第一金属段、第二金属段以及使所述第一金属段和所述第二金属段互连的第一导电通孔，其中所述第一金属段、所述第一导电通孔和所述第二金属段在实质上垂直于所述半导体衬底的所述表面的方向上对准；以及

所述电容器的第二电极，其被支撑在所述半导体衬底的所述表面上方，所述第二电极包括第三金属段、第四金属段以及使所述第三金属段和所述第四金属段互连的第二导电通孔。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一金属段和所述第三金属段在第一线后端工艺期间形成在第一金属层中，所述第二金属段和所述第四金属段在第二线后端工艺期间形成在第二金属层中，所述第一导电通孔和所述第二导电通孔在所述第一线后端工艺与所述第二线后端工艺之间的第三线后端工艺期间形成在所述第一金属层与所述第二金属层之间的金属间电介质层中。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一金属段、所述第二金属段、所述第三金属段和所述第四金属段是沿相关联的第一金属层或第二金属层延伸的细长指状物，所述第一导电通孔和所述第二导电通孔是实质上沿所述细长指状物的全部长度连续延伸的细长金属条。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述第一导电通孔和所述第二导电通孔的形状由形成在所述金属间电介质层中的细长沟槽限定。

14.根据权利要求10所述的设备，其中所述电容器具有至少100伏的额定电压。