[发明专利]包括升降的引导部的基板处理装置有效
| 申请号： | 201811173490.X | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109698155B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 郑相坤;金亨源;权赫俊;郑熙锡 | 申请（专利权）人： | 吉佳蓝科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 金鲜英;张敬强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括在腔室的内部升降的引导部的基板处理装置。本发明的包括升降的引导部的基板处理装置包括：腔室，其包括作为形成处理物质的区域的形成区域、作为用所述处理物质处理基板的区域的处理区域以及作为与泵连接而排出所述处理物质的区域的排出区域；夹盘，其设置于所述腔室的内部，且在上部安放所述基板以使所述基板位于所述处理区域；以及引导部，其在所述基板被搬入和搬出所述腔室时在腔室的内部上升，在处理所述基板时在所述腔室的内部下降，且形成有以向所述处理区域方向直径逐渐减小的方式贯通中央的引导孔，通过所述引导孔，将在所述形成区域形成的所述处理物质引导至所述处理区域。 | ||
| 搜索关键词： | 腔室 处理区域 处理物质 基板 基板处理装置 升降 引导孔 处理基板 排出区域 区域形成 逐渐减小 泵连接 搬出 搬入 夹盘 排出 贯通 | ||
【主权项】：
1.一种包括升降的引导部的基板处理装置，其特征在于，包括：/n腔室，其包括作为形成处理物质的区域的形成区域、作为用所述处理物质处理基板的区域的处理区域以及作为与泵连接而排出所述处理物质的区域的排出区域；/n夹盘，其在上部安放所述基板以使所述基板位于所述处理区域；/n引导部，其在所述基板被搬入和搬出所述腔室时在腔室的内部上升，在处理所述基板时在所述腔室的内部下降，并将在所述形成区域形成的所述处理物质引导至所述处理区域；/n联动部，其与所述引导部联动而升降所述引导部；/n驱动部，其向所述联动部提供驱动力以使所述联动部升降；以及/n限制部，其在内侧插入所述基板，且限制所述处理物质处理所述基板；/n所述联动部在升降的一部分区间升降所述引导部，在升降的其余一部分区间使所述引导部和所述限制部一同升降。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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