[发明专利]包括升降的引导部的基板处理装置有效

专利信息
申请号: 201811173490.X 申请日: 2018-10-09
公开(公告)号: CN109698155B 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 郑相坤;金亨源;权赫俊;郑熙锡 申请(专利权)人: 吉佳蓝科技股份有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;H01L21/67
代理公司: 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 金鲜英;张敬强
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 腔室 处理区域 处理物质 基板 基板处理装置 升降 引导孔 处理基板 排出区域 区域形成 逐渐减小 泵连接 搬出 搬入 夹盘 排出 贯通
【说明书】:

本发明涉及一种包括在腔室的内部升降的引导部的基板处理装置。本发明的包括升降的引导部的基板处理装置包括:腔室,其包括作为形成处理物质的区域的形成区域、作为用所述处理物质处理基板的区域的处理区域以及作为与泵连接而排出所述处理物质的区域的排出区域;夹盘,其设置于所述腔室的内部,且在上部安放所述基板以使所述基板位于所述处理区域;以及引导部,其在所述基板被搬入和搬出所述腔室时在腔室的内部上升,在处理所述基板时在所述腔室的内部下降,且形成有以向所述处理区域方向直径逐渐减小的方式贯通中央的引导孔,通过所述引导孔,将在所述形成区域形成的所述处理物质引导至所述处理区域。

技术领域

本发明涉及一种包括在腔室的内部升降的引导部的基板处理装置。

背景技术

基板处理装置是执行半导体工程的装置,详细而言,是用处理物质处理基板的装置。

此时,基板可以意指晶圆或安装有晶圆的托盘,处理物质可以意指用于处理基板的气体或等离子。

例如,基板处理装置可以是用等离子执行刻蚀、蒸镀以及灰化中的一个以上的装置,或用金属气体执行蒸镀的装置。

这种基板处理装置包括腔室。

在腔室的内部包括作为形成处理物质的区域的形成区域、作为用处理物质处理基板的区域的处理区域、以及作为与泵连接而排出处理物质的区域的排出区域。

基板通过形成于形成区域与处理区域之间的基板出入口由机械臂移送,从腔室的外部被搬入腔室的内部而安放于夹盘的上部。

然而,为了进行基板处理,形成区域与处理区域之间接近,因而存在基板被搬入腔室的内部的空间不足的问题。

为解决这种问题,以往,通过夹盘升降来确保基板被搬入腔室的内部的空间。

然而,由于夹盘包括用于固定基板和控制温度的结构等多种结构,因而存在如下问题:为了确保夹盘在腔室的内部升降的空间,腔室的大小增加;因夹盘的重量,升降要求较多的动力;夹盘所包括的多种结构也要与夹盘一同升降。

现有技术文献

专利文献

专利文献0001:KR 10-1443792 B1(2014.09.17)

专利文献0002:KR 10-2014-0103872 A(2014.08.27)

专利文献0003:KR 10-2006-0013987 A(2006.02.14)

发明内容

技术问题

旨在解决前述的问题即为本发明的课题。

本发明的目的在于提供一种包括升降的引导部的基板处理装置。

技术方案

用于达成上述目的的本发明是一种包括升降的引导部的基板处理装置,包括:腔室,其包括作为形成处理物质的区域的形成区域、作为用所述处理物质处理基板的区域的处理区域以及作为与泵连接而排出所述处理物质的区域的排出区域;夹盘,其设置于所述腔室的内部,且在上部安放所述基板以使所述基板位于所述处理区域;以及引导部,其在所述基板被搬入和搬出所述腔室时在腔室的内部上升,在处理所述基板时在所述腔室的内部下降,且形成有以向所述处理区域方向直径逐渐减小的方式贯通中央的引导孔,通过所述引导孔,将在所述形成区域形成的所述处理物质引导至所述处理区域。

所述包括升降的引导部的基板处理装置包括:联动部,其贯通所述腔室而设置,且与所述引导部联动而升降所述引导部;以及驱动部,其设置于所述腔室的外部,且向所述联动部提供驱动力以使所述联动部升降。

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