[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201811172510.1 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109244124A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 汤茂亮;王阳阳;刘少东 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件包括：基底，所述基底包括相互分立的第一有源区和第二有源区；由第一有源区延伸至第二有源区的栅极结构，所述栅极结构包括：位于第一有源区的第一栅极部，第一栅极部内具有第一掺杂离子；位于第二有源区的第二栅极部，沿第一有源区和第二有源区的排布方向，所述第一栅极部与第二栅极部平行排列，所述第二栅极部内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的原子半径小于第一掺杂离子的原子半径；连接第一栅极部和第二栅极部的第三栅极部，所述第三栅极部包括第一连接部，所述第一连接部与第一栅极部构成第一夹角，所述第一夹角大于0度小于180度。所述半导体器件的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 源区 半导体器件 掺杂离子 第一连接部 栅极结构 基底 分立 排布 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包括相互分立的第一有源区和第二有源区；由第一有源区延伸至第二有源区的栅极结构，所述栅极结构包括：位于第一有源区的第一栅极部，所述第一栅极部内具有第一掺杂离子；位于第二有源区的第二栅极部，沿第一有源区和第二有源区的排布方向，所述第二栅极部与第一栅极部平行排列，所述第二栅极部内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的原子半径小于第一掺杂离子的原子半径；连接第一栅极部和第二栅极部的第三栅极部，所述第三栅极部包括第一连接部，所述第一连接部与第一栅极部构成第一夹角，所述第一夹角大于0度小于180度。
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