[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括相互分立的第一有源区和第二有源区；

由第一有源区延伸至第二有源区的栅极结构，所述栅极结构包括：

位于第一有源区的第一栅极部，所述第一栅极部内具有第一掺杂离子；

位于第二有源区的第二栅极部，沿第一有源区和第二有源区的排布方向，所述第二栅极部与第一栅极部平行排列，所述第二栅极部内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的原子半径小于第一掺杂离子的原子半径；

连接第一栅极部和第二栅极部的第三栅极部，所述第三栅极部包括第一连接部，所述第一连接部与第一栅极部构成第一夹角，所述第一夹角大于0度小于180度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂离子与第二掺杂离子的导电类型相同；或者，所述第一掺杂离子与第二掺杂离子的导电类型相反。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三栅极部还包括：一个或者多个第二连接部；与第一连接部连接的第二连接部与第一连接部构成第二夹角，所述第二夹角大于0度小于180度。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，当第二连接部的个数为多个时，相邻的第二连接部构成第三夹角，所述第三夹角大于0度小于180度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，沿第一有源区和第二有源区的排布方向，所述第一栅极部的中心轴与第二栅极部的中心轴共线。

6.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括相互分立的第一有源区和第二有源区；

形成由第一有源区延伸至第二有源区的栅极结构，所述栅极结构包括位于第一有源区的第一栅极部、位于第二有源区的第二栅极部、以及连接第一栅极部和第二栅极部的第三栅极部，所述第三栅极部包括第一连接部，所述第一连接部与第一栅极部构成第一夹角，所述第一夹角大于0度小于180度，沿第一有源区和第二有源区的排布方向，所述第一栅极部和第二栅极部平行排列，所述第一栅极部内具有第一掺杂离子，所述第二栅极部内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的原子半径小于第一掺杂离子的原子半径。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的形成方法包括：在基底表面形成由第一有源区延伸至第二有源区的栅极结构膜，所述栅极结构膜表面具有第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出栅极结构膜的部分顶部表面；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅极结构膜，形成初始栅极结构，所述初始栅极结构包括位于第一有源区内的第一初始栅极部、位于第二有源区内的第二初始栅极部、以及所述第三栅极部，所述第三栅极部包括第一连接部，所述第一连接部与第一初始栅极部构成所述第一夹角；在所述第一初始栅极部内掺入第一掺杂离子，形成第一栅极部；在所述第二初始栅极部内掺入第二掺杂离子，形成第二栅极部。

8.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第三栅极部还包括：一个或者多个第二连接部；与第一连接部连接的第二连接部与第一连接部构成第二夹角，所述第二夹角大于0度小于180度。

9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当第二连接部的个数为多个时，相邻的第二连接部构成第三夹角，所述第三夹角大于0度小于180度。

10.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，沿第一有源区和第二有源区的排布方向，所述第一栅极部的中心轴与第二栅极部的中心轴共线。