[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件包括：基底，所述基底包括相互分立的第一有源区和第二有源区；由第一有源区延伸至第二有源区的栅极结构，所述栅极结构包括：位于第一有源区的第一栅极部，第一栅极部内具有第一掺杂离子；位于第二有源区的第二栅极部，沿第一有源区和第二有源区的排布方向，所述第一栅极部与第二栅极部平行排列，所述第二栅极部内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的原子半径小于第一掺杂离子的原子半径；连接第一栅极部和第二栅极部的第三栅极部，所述第三栅极部包括第一连接部，所述第一连接部与第一栅极部构成第一夹角，所述第一夹角大于0度小于180度。所述半导体器件的性能较好。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度、以及更高的集成度的方向发展。晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用，因此，随着半导体器件的元件密度和集成度提高，平面晶体管的栅极尺寸也越来越短，传统的平面晶体管对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应，产生漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。

然而，现有半导体器件的性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件，包括：基底，所述基底包括相互分立的第一有源区和第二有源区；由第一有源区延伸至第二有源区的栅极结构，所述栅极结构包括：位于第一有源区的第一栅极部，所述第一栅极部内具有第一掺杂离子；位于第二有源区的第二栅极部，沿第一有源区和第二有源区的排布方向，所述第二栅极部与第一栅极部平行排列，所述第二栅极部内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的原子半径小于第一掺杂离子的原子半径；连接第一栅极部和第二栅极部的第三栅极部，所述第三栅极部包括第一连接部，所述第一连接部与第一栅极部构成第一夹角，所述第一夹角大于0度小于180度。

可选的，所述第一掺杂离子与第二掺杂离子的导电类型相同；或者，所述第一掺杂离子与第二掺杂离子的导电类型相反。

可选的，所述第三栅极部还包括：一个或者多个第二连接部；与第一连接部连接的第二连接部与第一连接部构成第二夹角，所述第二夹角大于0度小于180度。

可选的，当第二连接部的个数为多个时，相邻的第二连接部构成第三夹角，所述第三夹角大于0度小于180度。

可选的，沿第一有源区和第二有源区的排布方向，所述第一栅极部的中心轴与第二栅极部的中心轴共线。

相应的，本发明还提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括相互分立的第一有源区和第二有源区；形成由第一有源区延伸至第二有源区的栅极结构，所述栅极结构包括位于第一有源区的第一栅极部、位于第二有源区的第二栅极部、以及连接第一栅极部和第二栅极部的第三栅极部，所述第三栅极部包括第一连接部，所述第一连接部与第一栅极部构成第一夹角，所述第一夹角大于0度小于180度，沿第一有源区和第二有源区的排布方向，所述第一栅极部和第二栅极部平行排列，所述第一栅极部内具有第一掺杂离子，所述第二栅极部内具有第二掺杂离子，且所述第二掺杂离子的原子半径小于第一掺杂离子的原子半径。

可选的，所述初始栅极结构的形成方法包括：在基底表面形成由第一有源区延伸至第二有源区的栅极结构膜，所述栅极结构膜表面具有第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出栅极结构膜的部分顶部表面；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅极结构膜，形成初始栅极结构，所述初始栅极结构包括位于第一有源区内的第一初始栅极部、位于第二有源区内的第二初始栅极部、以及所述第三栅极部，所述第三栅极部包括第一连接部，所述第一连接部与第一初始栅极部构成所述第一夹角；在所述第一初始栅极部内掺入第一掺杂离子，形成第一栅极部；在所述第二初始栅极部内掺入第二掺杂离子，形成第二栅极部。