[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201811171927.6 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109461658A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 黄辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/306;H01L21/311;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管的制备方法包括在最后去除光刻胶之后用O2对薄膜晶体管的背沟道进行覆盖处理的步骤。本发明实施例中的薄膜晶体管的制备方法包括在最后去除光刻胶之后用O2对薄膜晶体管的背沟道进行覆盖处理的步骤，不仅可以达到良好去除光刻胶的效果，同时也避免了对薄膜晶体管背沟道电性的影响，提升了产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 光刻胶 去除 沟道 产品性能 沟道电 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法包括在最后去除光刻胶之后用O2对薄膜晶体管的背沟道进行覆盖处理的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
