[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法包括在最后去除光刻胶之后用O₂对薄膜晶体管的背沟道进行覆盖处理的步骤。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述用O₂对薄膜晶体管的背沟道进行覆盖处理之前，所述方法还包括包括：

在玻璃基板上沉积栅极金属层；

连续沉积非晶硅半导体层和源漏金属层；

在源漏金属层之上涂布光刻胶，对不需要金属的区域的源漏金属层的光刻胶进行曝光、显影和刻蚀；

对光刻胶进行灰化处理，暴露出沟道区金属，再进行刻蚀，并去除光刻胶。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在玻璃基板上沉积栅极金属层，包括：

在玻璃基板上沉积栅极金属层；

涂布光刻胶并经过曝光和显影；

对栅极金属层进行湿法刻蚀，并去除栅极金属层上的光刻胶。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述非晶硅半导体层采用化学气相沉积CVD，所述源漏金属层采用物理气相沉积PVD成膜。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述连续沉积非晶硅半导体层和源漏金属层，包括：

依次沉积两层G-SiNx和三层CVD薄膜，所述三层CVD薄膜包括两层a-Si:H和一层n+a-Si:H；

通过溅射工艺进行源漏金属的沉积，形成源漏金属层。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在源漏金属层之上涂布光刻胶，对不需要金属的区域的源漏金属层的光刻胶进行曝光、显影和刻蚀的步骤，包括：

在源漏金属层之上涂布光刻胶；

依次对源漏金属层上不需要金属的区域进行变暗调制GT曝光工艺、显影和第一次湿法刻蚀，去除源漏金属层上不需要金属的区域的光刻胶。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述对光刻胶进行灰化处理，暴露出沟道区金属，再进行刻蚀，并去除光刻胶，包括：

用第一干法刻蚀，刻蚀掉部分n+a-Si:H和a-Si:H；

对光刻胶进行灰化处理，对沟道处的光刻胶进行刻蚀，暴露出沟道区金属；

对沟道处露出的金属进行第二次湿法刻蚀；

用第二干法刻蚀，把沟道处的n+a-Si:H刻断，并去除剩余的光刻胶。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述用O₂对薄膜晶体管的背沟道进行覆盖处理，采用30～50mtor真空度，纯O₂4000～8000sccm的环境，处理时长40～60s。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述用O₂对薄膜晶体管的背沟道进行覆盖处理之后，所述方法还包括：

采用等离子体增强化学气相沉积法PECVD沉积氮化硅；

依次进行光刻胶涂布工艺和刻蚀过孔工艺以及去除光刻胶工艺，形成通孔层；

通过溅射工艺沉积像素电极ITO；

在像素电极ITO纸上涂布光刻胶；

通过湿法刻蚀去掉未涂布光刻胶区域的像素电极ITO；

采用光刻胶剥离工艺，去除剩下像素电极ITO的光刻胶。

10.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为采用如权利要求1至9中任意一项所述的薄膜晶体管的制备方法制备的薄膜晶体管。