[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管在审

申请号：	201811171927.6	申请日：	2018-10-09
公开（公告）号：	CN109461658A	公开（公告）日：	2019-03-12
发明（设计）人：	黄辉	申请（专利权）人：	深圳市华星光电技术有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/306;H01L21/311;H01L29/786
代理公司：	深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300	代理人：	黄威
地址：	518132 广东***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管制备光刻胶去除沟道产品性能沟道电覆盖
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【说明书】：

本发明实施例公开了一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管的制备方法包括在最后去除光刻胶之后用O₂对薄膜晶体管的背沟道进行覆盖处理的步骤。本发明实施例中的薄膜晶体管的制备方法包括在最后去除光刻胶之后用O₂对薄膜晶体管的背沟道进行覆盖处理的步骤，不仅可以达到良好去除光刻胶的效果，同时也避免了对薄膜晶体管背沟道电性的影响，提升了产品性能。

技术领域

本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管。

背景技术

光刻技术是分别使用n mask技术在玻璃上实现形成薄膜晶体管(hin FilmTransistor，TFT)和氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)像素电极的过程。光刻技术主要应用在微电子中，它一般是对半导体进行加工，需要一个有部分透光部分不透光的掩模板，通过曝光、显影、刻蚀等技术获得和掩模板一样的图形。先在处理过后的半导体上涂上光刻胶，然后盖上掩模板进行曝光；其中透光部分光刻胶的化学成分在曝光过程中发生了变化；之后进行显影，将发生化学变化的光刻胶腐蚀掉，裸露出半导体；之后对裸露出的半导体进行刻蚀，最后把光刻胶去掉就得到了想要的图形。光刻技术在微电子中占有很大的比重，比如微电子技术的进步是通过线宽来评价的，而线宽的获得跟光刻技术有很大的关系。

在显示领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)已取代阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示器，而平面光源技术是新型的光源，其技术研发已经接近市场化量产水平。在平板显示与平面光源技术当中，沟道的电性是至关重要，其效果直接影响到产品的优劣。

在薄膜晶体管的制备过程中，湿法刻蚀去除光刻胶，是很早而且一直都在使用毋庸置疑的一种快捷去除光刻胶方式，在5次光刻时代广泛使用，而且无任何副作用，这是许多厂家一直使用的比较传统的去除光刻胶方式。但是，在一些4次光刻的产品设计过程中，使用湿法刻蚀去除光刻胶会影响薄膜晶体管的沟道电性，存在明显漏电流(Ioff)偏高的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，以解决目前使用湿法刻蚀去除光刻胶会影响薄膜晶体管的沟道电性，存在明显漏电流偏高的问题。

第一方面，本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管的制备方法包括在最后去除光刻胶之后用O₂对薄膜晶体管的背沟道进行覆盖处理的步骤。

进一步的，在所述用O₂对薄膜晶体管的背沟道进行覆盖处理之前，所述方法还包括包括：

在玻璃基板上沉积栅极金属层；

连续沉积非晶硅半导体层和源漏金属层；

在源漏金属层之上涂布光刻胶，对不需要金属的区域的源漏金属层的光刻胶进行曝光、显影和刻蚀；

对光刻胶进行灰化处理，暴露出沟道区金属，再进行刻蚀，并去除光刻胶。

进一步的，所述在玻璃基板上沉积栅极金属层，包括：

在玻璃基板上沉积栅极金属层；

涂布光刻胶并经过曝光和显影；

对栅极金属层进行湿法刻蚀，并去除栅极金属层上的光刻胶。