[发明专利]具有浮置基极的硅控整流器在审
| 申请号： | 201811168642.7 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109599436A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 叶致廷;庄哲豪 | 申请（专利权）人： | 晶焱科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有浮置基极的硅控整流器和一种利用该具有浮置基极的硅控整流器所形成的侧向二极管结构，该具有浮置基极的硅控整流器至少包括一第一导电型层、一形成于第一导电型层中的第二导电型阱型区、一形成于第二导电型阱型区中的第一导电型重掺杂区以及一形成于第一导电型层中的第二导电型重掺杂区。其中，第一导电型重掺杂区电性耦接第一节点，第二导电型重掺杂区电性耦接第二节点，且第一导电型与第二导电型相异。当第一导电型为N型时，第二导电型为P型。反之，当第一导电型为P型时，第二导电型为N型。藉由本发明的设计，此种具有浮置基极的硅控整流器，其电性特征表现如一正向二极管，并可具有较低的输入电容。 | ||
| 搜索关键词： | 导电型 硅控整流器 浮置 重掺杂区 第一导电型层 导电型阱 电性耦接 二极管结构 正向二极管 侧向 电性特征 输入电容 相异 表现 | ||
【主权项】：
1.一种具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，包括：一第一导电型层；一第二导电型阱型区，形成于该第一导电型层中；一第一导电型重掺杂区，形成于该第二导电型阱型区中，且该第一导电型重掺杂区电性耦接于一第一节点；以及一第二导电型重掺杂区，形成于该第一导电型层中，且该第二导电型重掺杂区电性耦接于一第二节点。
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