[发明专利]具有浮置基极的硅控整流器在审
| 申请号： | 201811168642.7 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109599436A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 叶致廷;庄哲豪 | 申请（专利权）人： | 晶焱科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电型 硅控整流器 浮置 重掺杂区 第一导电型层 导电型阱 电性耦接 二极管结构 正向二极管 侧向 电性特征 输入电容 相异 表现 | ||
1.一种具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，包括：
一第一导电型层；
一第二导电型阱型区，形成于该第一导电型层中；
一第一导电型重掺杂区，形成于该第二导电型阱型区中，且该第一导电型重掺杂区电性耦接于一第一节点；以及
一第二导电型重掺杂区，形成于该第一导电型层中，且该第二导电型重掺杂区电性耦接于一第二节点。
2.如权利要求1所述的具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，当该第一导电型为P型时，该第二导电型为N型。
3.如权利要求2所述的具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，该第一导电型层为一P型基板。
4.如权利要求1所述的具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，更包括一第一导电型阱型区，该第一导电型阱型区形成于该第一导电型层中，且该第二导电型重掺杂区形成于该第一导电型阱型区中。
5.如权利要求4所述的具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，该第一导电型层为一P型基板或一N型基板。
6.如权利要求1所述的具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，当该第一导电型为N型时，该第二导电型为P型。
7.如权利要求6所述的具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，该第一导电型层为一N型基板。
8.如权利要求6所述的具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，更包括一第一导电型阱型区，该第一导电型阱型区形成于该第一导电型层中，且该第二导电型重掺杂区形成于该第一导电型阱型区中。
9.如权利要求8所述的具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，该第一导电型层为一P型基板或一N型基板。
10.如权利要求2所述的具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，该第一导电型层为一P型磊晶层，且该P型磊晶层形成于一N型重掺杂基板上。
11.如权利要求10所述的具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，该N型重掺杂基板中更形成有多个沟槽，每一该沟槽的深度不小于该P型磊晶层。
12.如权利要求6所述的具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，该第一导电型层为一N型磊晶层，且该N型磊晶层形成于一P型重掺杂基板上。
13.如权利要求12所述的具有浮置基极的硅控整流器，其特征在于，该P型重掺杂基板中更形成有多个沟槽，每一该沟槽的深度不小于该N型磊晶层。
14.一种利用权利要求1所形成的侧向二极管结构，适于全芯片静电防护设计，该侧向二极管结构包括至少两个串接的二极管，其特征在于，该至少两个串接的二极管电性连接于一高电压准位与一接地端之间，一输入输出接脚耦接于该至少两个串接的二极管的连接处，且该至少两个串接的二极管其中至少一者为该具有浮置基极的硅控整流器。
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