[发明专利]沟槽型瞬态电压抑制器及其制作方法

摘要

本发明公开一种沟槽型瞬态电压抑制器及其制作方法，该制作方法通过对第一导电类型的第一衬底和第二导电类型的第二衬底进行刻蚀和热处理从而形成键合半导体结构，所述键合半导体结构包括键合设置的至少三个半导体柱，且相邻的两个所述半导体柱的导电类型相反；所述至少三个半导体柱包括用于与第一金属层连接的第一连接柱和用于与第二金属层连接的第二连接柱，及位于所述第一连接柱与所述第二连接柱之间的间隔柱。本发明所述沟槽型瞬态电压抑制器包括至少包括两个串联且对接的二极管，从而具有双向保护功能。所述键合半导体结构的PN结界面缺陷少，从而使得所述沟槽型瞬态电压抑制器漏电小，有效提升所述沟槽型瞬态电压抑制器的保护特性和可靠性。

主权项

1.一种沟槽型瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：第一金属层和第二金属层；键合半导体结构，其包括键合设置的至少三个半导体柱，且相邻的两个所述半导体柱的导电类型相反；所述至少三个半导体柱包括用于与所述第一金属层连接的第一连接柱和用于与所述第二金属层连接的第二连接柱，及位于所述第一连接柱与所述第二连接柱之间的间隔柱。