[发明专利]薄膜电阻的制造方法和薄膜电阻在审
| 申请号： | 201811167760.6 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111009512A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 余梦霖;肖金玉;张华刚;李琳 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜电阻的制造方法和薄膜电阻，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层；在所述层间介电层上形成薄膜电阻层，所述薄膜电阻层包括第一部分和第二部分；在所述薄膜电阻层上形成覆盖所述第二部分的阻挡层；在所述层间介电层上形成导电连接层，所述导电连接层覆盖所述阻挡层，并露出所述第一部分。根据本发明的半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置，在薄膜电阻层与导电连接层之间通过设置阻挡层代替导电通孔进行连接，消除了导电通孔对所形成的半导体器件的电阻的影响，减少了影响电阻温漂系数的变量，增加了薄膜电阻集成器件的电阻稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻 制造 方法 | ||
【主权项】：
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