[发明专利]薄膜电阻的制造方法和薄膜电阻在审
| 申请号： | 201811167760.6 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111009512A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 余梦霖;肖金玉;张华刚;李琳 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻 制造 方法 | ||
1.一种薄膜电阻的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层；
在所述层间介电层上形成薄膜电阻层，所述薄膜电阻层包括第一部分和第二部分；
在所述薄膜电阻层上形成覆盖所述第二部分的阻挡层；
在所述层间介电层上形成导电连接层，所述导电连接层覆盖所述阻挡层，并露出所述第一部分。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述薄膜电阻层的材料包括SiCr。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述薄膜电阻层上形成覆盖所述第二部分的阻挡层的步骤包括：
执行沉积工艺，以形成覆盖所述薄膜电阻层和所述层间介电层的阻挡材料层；
形成图案化的掩膜层，以覆盖位于所述第二部分上的所述阻挡材料层；
以所述图案化的掩膜层为掩膜刻蚀所述阻挡材料层，以形成所述阻挡层；
去除所述图案化的掩膜层。
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料设置为TiW，所述刻蚀工艺采用湿法刻蚀工艺。
5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度的范围为
6.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用包含H2O2的溶液。
7.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺在30℃-50℃的温度下进行。
8.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述湿法刻蚀工艺的过程中还包括对所述半导体衬底施加振动操作。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述振动操作的频率范围为50次/min-180次/min。
10.一种薄膜电阻，其特征在于，采用如权利要求1-9任意一项所述的制造方法制造。
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