[发明专利]用于防止静电破坏的空白掩模和光掩模在审

专利信息
申请号: 201811140761.1 申请日: 2018-09-28
公开(公告)号: CN109597276A 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 南基守;金东建;金世民;金大汉;柳熙山 申请(专利权)人: 思而施技术株式会社
主分类号: G03F1/50 分类号: G03F1/50;G03F1/40
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨贝贝;臧建明
地址: 韩国大邱广*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种用于防止静电破坏的空白掩模及光掩模。空白掩模在透明衬底上具有至少一层金属化合物膜以形成光掩模图案。金属化合物膜包含:金属膜,形成于透明衬底上;以及非起电膜,形成于金属膜上,非起电膜防止因图案之间的在表面上积聚的电荷的差所引起的静电放电所导致的对图案的破坏。有可能通过在没有额外薄膜制造工艺的情况下改进形成空白掩模的金属化合物膜中的电阻组分来使光掩模的金属化合物膜图案之间的由光刻工艺期间的反复接触或处理所产生的静电最小化来防止对转移图案的破坏,且还可避免修正和重新制造光掩模的成本。
搜索关键词: 金属化合物膜 空白掩模 光掩模 静电破坏 金属膜 图案 衬底 起电 光掩模图案 额外薄膜 光刻工艺 静电放电 制造工艺 转移图案 透明 电荷 静电 最小化 电阻 积聚 修正 制造 改进
【主权项】:
1.一种在透明衬底上具有至少一层金属化合物膜以形成光掩模图案的用于防止静电破坏的空白掩模,所述金属化合物膜包括:金属膜,形成于所述透明衬底上;以及非起电膜,形成于所述金属膜上,所述非起电膜防止因所述图案之间的在表面上积聚的电荷的差所引起的静电放电所导致的对所述图案的破坏。
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