[发明专利]用于防止静电破坏的空白掩模和光掩模

权利要求书

1.一种在透明衬底上具有至少一层金属化合物膜以形成光掩模图案的用于防止静电破坏的空白掩模，所述金属化合物膜包括：

金属膜，形成于所述透明衬底上；以及

非起电膜，形成于所述金属膜上，所述非起电膜防止因所述图案之间的在表面上积聚的电荷的差所引起的静电放电所导致的对所述图案的破坏。

2.根据权利要求1所述的用于防止静电破坏的空白掩模，其中所述金属膜具有50埃到2,000埃的厚度，以及所述非起电膜具有500埃到3,000埃的厚度。

3.一种在透明衬底上具有至少一层金属化合物膜以形成光掩模图案的用于防止静电破坏的空白掩模，所述金属化合物膜包括：

金属膜，形成于所述透明衬底上；以及

非起电膜，形成于所述金属膜的上方以及下方，所述非起电膜防止因所述图案之间的在表面上积聚的电荷的差所引起的静电放电所导致的对所述图案的破坏。

4.根据权利要求3所述的用于防止静电破坏的空白掩模，其中所述金属膜具有50埃到1,000埃的厚度，以及所述非起电膜具有500埃到2,500埃的厚度。

5.一种在透明衬底上具有至少一层金属化合物膜以形成光掩模图案的用于防止静电破坏的空白掩模，所述金属化合物膜包括在所述透明衬底上形成的非起电膜，所述非起电膜防止因所述图案之间的在表面上积聚的电荷的差所引起的静电放电所导致的对所述图案的破坏。

6.根据权利要求5所述的用于防止静电破坏的空白掩模，其中所述非起电膜具有50埃到4,000埃的厚度。

7.根据权利要求1、3、5中任一项所述的用于防止静电破坏的空白掩模，其中形成所述金属化合物膜的所述非起电膜具有以下结构中的一个：具有均匀组成物的单层膜、组成物或组成物比率不同的连续单层膜、具有相同组成物的多层膜以及具有两个或大于两个层的多层膜或具有不同组成物的连续膜。

8.根据权利要求1或3所述的用于防止静电破坏的空白掩模，其中形成所述金属化合物膜的所述金属膜具有以下结构中的一个：具有均匀组成物的单层膜、组成物或组成物比率不同的连续单层膜、具有相同组成物的多层膜以及具有两个或大于两个层的多层膜或具有不同组成物的连续膜。

9.根据权利要求1、3、5中任一项所述的用于防止静电破坏的空白掩模，其中所述金属化合物膜具有1,000欧姆或大于1,000欧姆的表面电阻。

10.根据权利要求1、3、5中任一项所述的用于防止静电破坏的空白掩模，其中所述金属化合物膜相对于具有包括i射线、h射线以及g射线的组合波长的曝光光而具有2.5到5.0的光学密度。

11.根据权利要求1、3、5中任一项所述的用于防止静电破坏的空白掩模，其中所述金属化合物膜由含有以下金属中的一种或多种的化合物构成，所述化合物包括：铝、钴、钨、钼、钒、钯、钛、铂、锰、铁、镍、镉、锆、镁、锂、硒、铜、钇、硫、铟、锡、硼、铍、钠、钽、铪以及铌，以及进一步含有以下轻元素中的一种或多种：氮、氧、碳、硼以及氢，或所述金属化合物膜由除了所述以上金属中的一种或多种以外还含有硅的金属硅化物构成，或由除了所述金属硅化物以外还含有以上所述轻元素的金属硅化物化合物构成。

12.根据权利要求1、3、5中任一项所述的用于防止静电破坏的空白掩模，其中所述金属化合物膜由以下铬化合物中的一种构成：氧化铬、氮化铬、碳化铬、氮氧化铬、碳氧化铬、碳氮化铬以及氮氧碳化铬。

13.根据权利要求1、3、5中任一项所述的用于防止静电破坏的空白掩模，其中所述非起电膜含有氧。

14.根据权利要求13所述的用于防止静电破坏的空白掩模，其中所述金属化合物膜的含氧部分占据整个膜厚度的50％。