[发明专利]用于防止静电破坏的空白掩模和光掩模

说明书

本发明涉及一种用于防止静电破坏的空白掩模及光掩模。空白掩模在透明衬底上具有至少一层金属化合物膜以形成光掩模图案。金属化合物膜包含：金属膜，形成于透明衬底上；以及非起电膜，形成于金属膜上，非起电膜防止因图案之间的在表面上积聚的电荷的差所引起的静电放电所导致的对图案的破坏。有可能通过在没有额外薄膜制造工艺的情况下改进形成空白掩模的金属化合物膜中的电阻组分来使光掩模的金属化合物膜图案之间的由光刻工艺期间的反复接触或处理所产生的静电最小化来防止对转移图案的破坏，且还可避免修正和重新制造光掩模的成本。

技术领域

本发明涉及一种用于防止静电破坏的空白掩模和光掩模，且更具体地说，涉及一种用于防止静电破坏的空白掩模和光掩模，所述空白掩模和光掩模可在光刻和光掩模处理期间防止由形成光掩模的金属化合物图案所产生的静电所导致的对图案的破坏。

背景技术

通过光刻(一种用以使用光掩模来转移图案的工艺)来制造半导体集成电路(大规模集成(large-scale integration；LSI))装置或平板显示器(flat-panel display；FPD)装置。

空白掩模通常是由复合硅石玻璃制成的透明衬底，其中形成含有金属材料和光刻胶膜的金属膜或金属化合物膜。光掩模具有通过使空白掩模的薄膜图案化所形成的金属或金属化合物图案。取决于所要求的光学特性，薄膜包含光屏蔽膜、抗反射膜、相移膜、半透射膜、反射膜等。空白掩模包含以上薄膜中的至少一个，且通过使这些膜图案化成所需形状来制造具有转移图案的光掩模。

光掩模用以通过接触或非接触光刻将图案转移到目标衬底上来形成装置结构。在这种情况下，归因于在光刻工艺期间光掩模的反复使用，静电电荷在光掩模上积聚，且如果图案之间的电荷差超过击穿电压，那么图案之间产生的静电损坏光掩模上的图案。具体地说，图案越独立，邻近图案的电位差越高，导致静电放电的损坏越大。这导致必须修正具有已损坏图案的光掩模或丢弃光掩模的问题。

在常规空白掩模和光掩模中，在含金属薄膜的顶部或底部上形成用于方便电荷移动的透明导电膜，以便减少静电积聚。然而，导电膜的使用导致，由于在整个透明衬底上形成导电膜，所以用于曝光的光的透射降低，进而不可避免地降低曝光效率。此外，这种方法要求用于形成透明导电膜的额外工艺，这导致因额外的设备和工艺时间所致的不可避免的制造成本上升。

发明内容

本发明提供一种用于防止静电破坏的空白掩模和光掩模，所述空白掩模和光掩模可通过防止电荷在空白掩模的金属化合物图案的表面上积聚来防止由光刻中的静电所导致的图案损坏。

本发明还提供一种用于防止静电破坏的空白掩模和光掩模，所述空白掩模和光掩模可因不降低光掩模的透射而保持曝光效率，且避免由静电所导致的图案破坏所引发的修正和重新制造光掩模的不必要质量成本。

根据本发明的用于防止静电破坏的空白掩模在透明衬底上具有至少一层金属化合物膜以形成光掩模图案，金属化合物膜包含：金属膜，形成于透明衬底上；以及非起电膜，形成于金属膜上，所述非起电膜防止因图案之间的在表面上积聚的电荷的差所引起的静电放电所导致的对图案的破坏。

金属化合物膜通过在金属膜上方和下方形成非起电膜来制成，或由非起电膜构成。

金属化合物膜具有1,000欧姆或大于1,000欧姆的表面电阻。

金属化合物膜相对于具有包含i射线、h射线以及g射线的组合波长的曝光光而具有2.5到5.0的光学密度。

金属化合物膜由以下铬(chromium；Cr)化合物中的一种构成：氧化铬(CrO)、氮化铬(CrN)、碳化铬(CrC)、氮氧化铬(CrON)、碳氧化铬(CrCO)、碳氮化铬(CrCN)以及氮氧碳化铬(CrCON)。

非起电膜必定含有氧(oxygen；O)，且金属化合物膜的含氧(O)部分占据整个膜厚度的50％。