[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201811138537.9 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585559A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 宋昇珉;朴雨锡;梁正吉;裵金钟;裵东一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供半导体装置。一种半导体装置包括衬底及在所述衬底上的栅极结构。所述半导体装置包括在所述衬底上的沟道。所述半导体装置包括在所述沟道上的源极/漏极层。此外，所述半导体装置包括在所述栅极结构的侧壁上的间隔件。所述间隔件包括在垂直方向上与所述沟道交叠的中心部分以及从所述中心部分突出的突出部分。本公开的半导体装置可具有良好的电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 衬底 沟道 栅极结构 间隔件 源极/漏极 部分突出 电特性 侧壁 交叠 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底；多个沟道，在所述衬底的上表面上在垂直方向上彼此间隔开；栅极结构，在所述沟道上；第一间隔件，在所述栅极结构的侧壁上，所述第一间隔件包括：中心部分，在所述垂直方向上与所述沟道交叠；以及突出部分，从所述中心部分突出，所述突出部分在所述垂直方向上不与所述沟道交叠；以及源极/漏极层，在所述沟道的侧壁上。
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