[发明专利]半导体装置

说明书

本公开提供半导体装置。一种半导体装置包括衬底及在所述衬底上的栅极结构。所述半导体装置包括在所述衬底上的沟道。所述半导体装置包括在所述沟道上的源极/漏极层。此外，所述半导体装置包括在所述栅极结构的侧壁上的间隔件。所述间隔件包括在垂直方向上与所述沟道交叠的中心部分以及从所述中心部分突出的突出部分。本公开的半导体装置可具有良好的电特性。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2017年9月28日在韩国知识产权局(Korean IntellectualProperty Office，KIPO)提出申请的韩国专利申请第10-2017-0126077号的优先权，所述韩国专利申请的内容全文并入本申请供参考。

技术领域

本公开涉及半导体装置。

背景技术

在形成多路桥接型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(multi-bridge-channelMOSFET，MBCFET)时，可形成鳍结构，可在鳍结构上形成虚设栅极结构及覆盖虚设栅极结构的侧壁的栅极间隔件，且可使用虚设栅极结构及栅极间隔件作为蚀刻掩模来对鳍结构进行蚀刻。在形成与栅极结构相邻的源极/漏极层之后，可通过栅极结构来替换虚设栅极结构。如果栅极结构与源极/漏极层未彼此电绝缘，则在栅极结构与源极/漏极之间可能发生电短路。

发明内容

本发明的示例性实施例提供一种电特性良好的半导体装置。

本发明的示例性实施例提供一种制造电特性良好的半导体装置的方法。

根据示例性实施例，提供一种半导体装置。所述半导体装置可包括衬底。所述半导体装置可包括在所述衬底的上表面上在垂直方向上彼此间隔开的多个沟道。所述半导体装置可包括在所述沟道上的栅极结构。所述半导体装置可包括在所述栅极结构的侧壁上的第一间隔件。所述第一间隔件可包括在所述垂直方向上与所述沟道交叠的中心部分。所述第一间隔件可包括从所述中心部分突出的突出部分。所述突出部分在所述垂直方向上可不与所述沟道交叠。此外，所述半导体装置可包括在所述沟道的侧壁上的源极/漏极层。

根据各种实施例，一种半导体装置可包括衬底。所述半导体装置可包括在所述衬底上的栅极结构。所述半导体装置可包括延伸穿过所述栅极结构的沟道。所述半导体装置可包括在所述沟道上的源极/漏极层。此外，所述半导体装置可包括第一间隔件，所述第一间隔件在所述栅极结构的侧壁上且将所述栅极结构与所述源极/漏极层电绝缘。所述第一间隔件可包括在垂直方向上与所述沟道交叠的中心部分。所述第一间隔件可包括从所述中心部分突出的突出部分。所述突出部分在所述垂直方向上可不与所述沟道交叠。

根据各种实施例，一种半导体装置可包括衬底。所述半导体装置可包括在所述衬底上的源极/漏极层。所述半导体装置可包括在所述源极/漏极层的第一侧的第一栅极结构。所述半导体装置可包括延伸穿过所述第一栅极结构且连接到所述源极/漏极层的第一沟道。此外，所述半导体装置可包括在所述第一栅极结构的与所述源极/漏极层面对的侧壁上的第一间隔件。所述第一间隔件可将所述第一栅极结构与所述源极/漏极层电绝缘。所述第一间隔件可包括在与所述衬底的上表面实质上垂直的垂直方向上不与所述第一沟道交叠的第一突出部分。

根据各种实施例，一种制造半导体装置的方法可包括在衬底上形成鳍结构。所述鳍结构可包括交替地且重复地堆叠的牺牲线与半导体线。所述方法可包括在所述鳍结构及所述衬底上形成虚设栅极结构。所述虚设栅极结构可包括依序堆叠的虚设栅极绝缘图案与虚设栅极电极。所述方法可包括使用所述虚设栅极结构作为蚀刻掩模来对所述鳍结构进行蚀刻以暴露出所述衬底的上表面。所述方法可包括对所述牺牲线的侧壁进行蚀刻以形成第一凹槽。所述方法可包括对所述虚设栅极绝缘图案的被所述第一凹槽暴露出的部分进行蚀刻以形成第二凹槽。所述方法可包括在所述第一凹槽及所述第二凹槽中形成第一间隔件。所述方法可包括在所述衬底的所述上表面上形成源极/漏极层。此外，所述方法可包括利用栅极结构替换所述虚设栅极结构。