[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

多个沟道，在所述衬底的上表面上在垂直方向上彼此间隔开；

栅极结构，在所述沟道上；

第一间隔件，在所述栅极结构的侧壁上，所述第一间隔件包括：

中心部分，在所述垂直方向上与所述沟道交叠；以及

突出部分，从所述中心部分突出，所述突出部分在所述垂直方向上不与所述沟道交叠；以及

源极/漏极层，在所述沟道的侧壁上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述沟道中的每一者在第一方向上延伸，所述第一方向与所述衬底的所述上表面实质上平行。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一间隔件的所述突出部分在第二方向上从所述第一间隔件的所述中心部分突出，所述第二方向与所述衬底的所述上表面实质上平行且与所述第一方向实质上垂直。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中所述第一间隔件的所述突出部分包括第一突出部分与第二突出部分，所述第一突出部分与所述第二突出部分在所述第二方向上分别从所述第一间隔件的所述中心部分的相对的第一端与第二端突出，且

其中所述第一突出部分与所述第二突出部分在所述第一间隔件的所述中心部分的相对的所述第一端与所述第二端处彼此对称。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述源极/漏极层通过所述第一间隔件来与所述栅极结构电绝缘。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第一间隔件在所述栅极结构的下部部分的相对侧壁上，

其中所述半导体装置还包括第二间隔件，所述第二间隔件在所述栅极结构的上部部分的相对侧壁上，且

其中所述栅极结构通过所述第一间隔件及所述第二间隔件来与所述源极/漏极层电绝缘。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第一间隔件与所述第二间隔件在所述垂直方向上至少部分地彼此交叠。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述栅极结构的所述下部部分在所述第一方向上的第一宽度比所述栅极结构的所述上部部分在所述第一方向上的第二宽度窄。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一间隔件包括在所述垂直方向上彼此间隔开的多个第一间隔件。

10.一种半导体装置，包括：

衬底；

栅极结构，在所述衬底上；

沟道，延伸穿过所述栅极结构；

源极/漏极层，在所述沟道上；以及

第一间隔件，在所述栅极结构的侧壁上且将所述栅极结构与所述源极/漏极层电绝缘，所述第一间隔件包括：

中心部分，在垂直方向上与所述沟道交叠；以及

突出部分，从所述中心部分突出，所述突出部分在所述垂直方向上不与所述沟道交叠。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述沟道包括在所述垂直方向上彼此间隔开的多个沟道。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第一间隔件在所述多个沟道之间以及在所述衬底与所述多个沟道中最靠近所述衬底的一个沟道之间。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述栅极结构在第二方向上延伸，且所述沟道在第一方向上延伸，所述第二方向与所述衬底的上表面实质上平行，所述第一方向与所述衬底的所述上表面实质上平行且与所述第二方向实质上垂直。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述沟道在所述第一方向上的宽度比所述栅极结构在所述第一方向上的宽度宽。