[发明专利]一种LED倒装芯片及其制作方法在审
申请号: | 201811136721.X | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN109244222A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 柯志杰;李希;陈冬芳;张伟强;林志伟 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供了一种LED倒装芯片及其制作方法,包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的多个间隔分布的透光凸起;所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;所述透光凸起朝向所述衬底远离所述发光结构层的一侧凸出。基于此,发光层出射的光线透过衬底入射到透光凸起上后,会被透光凸起透射和反射,从LED倒装芯片的底面和侧面出射,从而使得LED倒装芯片侧面的出光增多,使得LED倒装芯片的出光角度增大。 | ||
搜索关键词: | 衬底 透光 凸起 发光结构层 半导体层 透射和反射 光线透过 间隔分布 角度增大 侧面 凸出 发光层 出射 底面 入射 制作 发光 | ||
【主权项】:
1.一种LED倒装芯片,其特征在于,包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的多个间隔分布的透光凸起;所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;所述透光凸起朝向所述衬底远离所述发光结构层的一侧凸出。
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