[发明专利]一种LED倒装芯片及其制作方法

说明书

本发明提供了一种LED倒装芯片及其制作方法，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的多个间隔分布的透光凸起；所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述透光凸起朝向所述衬底远离所述发光结构层的一侧凸出。基于此，发光层出射的光线透过衬底入射到透光凸起上后，会被透光凸起透射和反射，从LED倒装芯片的底面和侧面出射，从而使得LED倒装芯片侧面的出光增多，使得LED倒装芯片的出光角度增大。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种LED倒装芯片及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)芯片具有亮度高、寿命长、体积小和耗电量低等优点，因此，已经成为新一代的照明工具。现有的LED芯片主要包括正装结构、倒装结构和垂直结构，倒装结构由于具有尺寸小、电流大、寿命长等优点，已经受到了人们的广泛关注。虽然现有的LED倒装芯片的衬底底面和侧面都能出光，但是，大部分光线都是从衬底底面出射的，侧面出光较少，导致LED倒装芯片的出光角度较小。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种LED倒装芯片及其制作方法，以提高LED倒装芯片的出光角度。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种LED倒装芯片，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的多个间隔分布的透光凸起；

所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；

所述透光凸起朝向所述衬底远离所述发光结构层的一侧凸出。

可选地，所述多个透光凸起均匀分布。

可选地，所述透光凸起为半球形结构、锥形结构或倒梯形结构。

可选地，所述衬底具有所述透光凸起的区域为粗糙的表面。

可选地，所述透光凸起的材料为环氧性材料、负性感光材料中的一种或多种。

一种LED倒装芯片的制作方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底的一侧形成发光结构层，所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；

在所述衬底相对的另一侧形成多个间隔分布的透光凸起，所述透光凸起朝向所述衬底远离所述发光结构层的一侧凸出。

可选地，在所述衬底相对的另一侧形成多个间隔分布的透光凸起包括：

在所述衬底相对的另一侧形成透光层；

对所述透光层的部分区域进行光刻，形成多个间隔分布的透光凸起。

可选地，在所述衬底相对的另一侧形成多个间隔分布的透光凸起包括：

在所述衬底相对的另一侧形成感光层；

对所述感光层的部分区域进行光照，以形成多个间隔分布的透光凸起。

可选地，在所述衬底相对的另一侧形成多个间隔分布的透光凸起之前，还包括：

对所述衬底待形成透光凸起的区域进行粗化，以在所述衬底待形成透光凸起的区域形成粗糙的表面。

可选地，对所述衬底待形成透光凸起的区域进行粗化包括：

在所述衬底相对的另一侧表面形成掩膜，所述掩膜暴露出所述衬底待形成透光凸起的区域；

对所述衬底待形成透光凸起的区域进行图案化处理，以形成粗糙的表面。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：