[发明专利]一种LED倒装芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201811136721.X | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109244222A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 柯志杰;李希;陈冬芳;张伟强;林志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 透光 凸起 发光结构层 半导体层 透射和反射 光线透过 间隔分布 角度增大 侧面 凸出 发光层 出射 底面 入射 制作 发光 | ||
1.一种LED倒装芯片，其特征在于，包括衬底、位于所述衬底一侧的发光结构层以及位于所述衬底相对的另一侧的多个间隔分布的透光凸起；
所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
所述透光凸起朝向所述衬底远离所述发光结构层的一侧凸出。
2.根据权利要求1所述的LED倒装芯片，其特征在于，所述多个透光凸起均匀分布。
3.根据权利要求1所述的LED倒装芯片，其特征在于，所述透光凸起为半球形结构、锥形结构或倒梯形结构。
4.根据权利要求1或3所述的LED倒装芯片，其特征在于，所述衬底具有所述透光凸起的区域为粗糙的表面。
5.根据权利要求1所述的LED倒装芯片，其特征在于，所述透光凸起的材料为环氧性材料、负性感光材料中的一种或多种。
6.一种LED倒装芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底的一侧形成发光结构层，所述发光结构层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
在所述衬底相对的另一侧形成多个间隔分布的透光凸起，所述透光凸起朝向所述衬底远离所述发光结构层的一侧凸出。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述衬底相对的另一侧形成多个间隔分布的透光凸起包括：
在所述衬底相对的另一侧形成透光层；
对所述透光层的部分区域进行光刻，形成多个间隔分布的透光凸起。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述衬底相对的另一侧形成多个间隔分布的透光凸起包括：
在所述衬底相对的另一侧形成感光层；
对所述感光层的部分区域进行光照，以形成多个间隔分布的透光凸起。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述衬底相对的另一侧形成多个间隔分布的透光凸起之前，还包括：
对所述衬底待形成透光凸起的区域进行粗化，以在所述衬底待形成透光凸起的区域形成粗糙的表面。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，对所述衬底待形成透光凸起的区域进行粗化包括：
在所述衬底相对的另一侧表面形成掩膜，所述掩膜暴露出所述衬底待形成透光凸起的区域；
对所述衬底待形成透光凸起的区域进行图案化处理，以形成粗糙的表面。
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