[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811131306.5 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109599438B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 林经祥;林耕竹;郑双铭;蔡腾群;彭辞修;颜甫庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。实施例方法包括在半导体鳍上方并且沿着半导体鳍的侧壁沉积第一介电膜，半导体鳍从半导体衬底向上延伸。该方法还包括在第一介电膜上方沉积介电材料；使第一介电膜凹进至半导体鳍的顶面之下以限定伪鳍，伪鳍包括介电材料的上部；以及在半导体鳍和伪鳍上方并且沿着半导体鳍和伪鳍的侧壁形成栅极堆叠件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体鳍上方并且沿着所述半导体鳍的侧壁沉积第一介电膜，所述半导体鳍从半导体衬底向上延伸；在所述第一介电膜上方沉积介电材料；使所述第一介电膜凹进至所述半导体鳍的顶面之下以限定伪鳍，所述伪鳍包括所述介电材料的上部；以及在所述半导体鳍和所述伪鳍上方并且沿着所述半导体鳍和所述伪鳍的侧壁形成栅极堆叠件。
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