[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811131306.5 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109599438B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 林经祥;林耕竹;郑双铭;蔡腾群;彭辞修;颜甫庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
在半导体鳍上方并且沿着所述半导体鳍的侧壁沉积第一介电膜，所述半导体鳍从半导体衬底向上延伸；
在所述第一介电膜上方沉积介电材料；
使所述第一介电膜凹进至所述半导体鳍的顶面之下以限定伪鳍，所述伪鳍包括所述介电材料的上部；以及
在所述半导体鳍和所述伪鳍上方并且沿着所述半导体鳍和所述伪鳍的侧壁形成栅极堆叠件，其中，所述伪鳍和所述半导体鳍的顶面基本齐平或者比所述半导体鳍延伸得更高。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述介电材料包括用所述介电材料覆盖所述第一介电膜的顶面，所述方法还包括平坦化所述介电材料以暴露所述第一介电膜。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，沉积所述介电材料包括限定在所述介电材料的下方且位于所述半导体鳍和与所述半导体鳍相邻的第二半导体鳍之间的空隙。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述第一介电膜凹进包括以比所述介电材料更快的速率蚀刻所述第一介电膜。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括，在沉积所述介电材料之前，在所述第一介电膜上方沉积第二介电膜，并且，所述伪鳍包括由所述第二介电膜形成的上部。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在使所述第一介电膜凹进之前，使所述介电材料凹进至所述第一介电膜的最顶表面之下；
在所述介电材料和所述第一介电膜上方沉积第二介电材料；以及
平坦化所述第二介电材料以暴露所述第一介电膜。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：使用掩模层来图案化所述半导体衬底以限定所述半导体鳍，其中，所述第一介电膜沉积在所述掩模层上方并且沿着所述掩模层的侧壁沉积。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：
使用掩模层图案化所述半导体衬底以限定所述半导体鳍；以及
在沉积所述第一介电膜之前，去除所述掩模层。
9.一种半导体器件，包括：
第一半导体鳍和第二半导体鳍，从半导体衬底向上延伸；
隔离区域，包括第一介电膜，并且设置在所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间；
伪鳍，从所述隔离区域向上延伸，其中，所述伪鳍包括从所述第一介电膜的最顶表面之下延伸至所述第一介电膜的最顶表面之上的第一介电材料；以及
栅极堆叠件，设置在所述第一半导体鳍上方并且沿着所述第一半导体鳍的侧壁延伸、设置在所述第二半导体鳍上方并且沿着所述第二半导体鳍的侧壁延伸以及设置在所述伪鳍上方并且沿着所述伪鳍的侧壁延伸，
其中，所述伪鳍和所述第一半导体鳍的顶面基本齐平或者比所述第一半导体鳍延伸得更高。
10.根据权利要求9所述的器件，其中，所述第一介电膜包括氧化硅，并且，所述第一介电材料包括含碳氧化物、含金属氧化物或它们的组合。
11.根据权利要求9所述的器件，其中，所述伪鳍包括设置在所述第一介电膜和所述第一介电材料之间的第二介电膜。
12.根据权利要求11所述的器件，其中，所述第二介电膜的碳重量百分比大于所述第一介电材料的碳重量百分比。
13.根据权利要求11所述的器件，其中，所述第二介电膜的金属重量百分比大于所述第一介电材料的金属重量百分比。
14.根据权利要求9所述的器件，其中，所述伪鳍还包括覆盖所述第一介电材料的顶面的第二介电材料。
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